MOSFETs को मुख्य मापदण्डहरू र triodes संग तुलना

फिल्ड इफेक्ट ट्रान्जिस्टरको रूपमा संक्षिप्तMOSFETत्यहाँ दुई मुख्य प्रकारहरू छन्: जंक्शन क्षेत्र प्रभाव ट्यूब र धातु-अक्साइड अर्धचालक क्षेत्र प्रभाव ट्यूब। MOSFET लाई एक ध्रुवीय ट्रान्जिस्टरको रूपमा पनि चिनिन्छ जसमा चालकतामा संलग्न अधिकांश क्यारियरहरू छन्। तिनीहरू भोल्टेज-नियन्त्रित अर्धचालक उपकरणहरू हुन्। यसको उच्च इनपुट प्रतिरोध, कम आवाज, कम पावर खपत, र अन्य विशेषताहरु को कारण, यो द्विध्रुवी ट्रान्जिस्टरहरु र पावर ट्रान्जिस्टरहरु को एक बलियो प्रतियोगी बनाउन।

I. MOSFET का मुख्य मापदण्डहरू

1, DC मापदण्डहरू

गेट र स्रोत बीचको भोल्टेज शून्य बराबर हुन्छ र ड्रेन र स्रोत बिचको भोल्टेज पिन्च-अफ भोल्टेज भन्दा बढी हुँदा सन्तृप्ति नाली प्रवाहलाई ड्रेन करन्टको रूपमा परिभाषित गर्न सकिन्छ।

पिन्च-अफ भोल्टेज UP: UDS निश्चित हुँदा ID लाई सानो प्रवाहमा घटाउन UGS आवश्यक हुन्छ;

टर्न-अन भोल्टेज UT: UDS निश्चित हुँदा ID लाई निश्चित मानमा ल्याउन UGS आवश्यक हुन्छ।

2, AC प्यारामिटरहरू

कम-फ्रिक्वेन्सी ट्रान्सकन्डक्टन्स ग्राम: ड्रेन करन्टमा गेट र स्रोत भोल्टेजको नियन्त्रण प्रभाव वर्णन गर्दछ।

इन्टर-पोल क्यापेसिटन्स: MOSFET को तीन इलेक्ट्रोडहरू बीचको क्यापेसिटन्स, सानो मान, राम्रो प्रदर्शन।

3, सीमा प्यारामिटरहरू

ड्रेन, स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज: जब ड्रेन वर्तमान तीव्र रूपमा बढ्छ, यसले UDS हुँदा हिमस्खलन ब्रेकडाउन उत्पादन गर्नेछ।

गेट ब्रेकडाउन भोल्टेज: जंक्शन फिल्ड इफेक्ट ट्यूब सामान्य सञ्चालन, रिभर्स बायस स्टेटमा PN जंक्शन बीचको गेट र स्रोत, ब्रेकडाउन उत्पादन गर्नको लागि वर्तमान धेरै ठूलो छ।

II। को विशेषताहरुMOSFETs

MOSFET मा एम्प्लीफिकेशन प्रकार्य छ र एक एम्प्लीफाइड सर्किट बनाउन सक्छ। ट्रियोडको तुलनामा, यसमा निम्न विशेषताहरू छन्।

(1) MOSFET एक भोल्टेज नियन्त्रित उपकरण हो, र सम्भाव्यता UGS द्वारा नियन्त्रित छ;

(2) MOSFET को इनपुटमा वर्तमान अत्यन्त सानो छ, त्यसैले यसको इनपुट प्रतिरोध धेरै उच्च छ;

(3) यसको तापमान स्थिरता राम्रो छ किनभने यसले चालकताको लागि बहुसंख्यक वाहकहरू प्रयोग गर्दछ;

(4) यसको एम्प्लीफिकेशन सर्किटको भोल्टेज प्रवर्धन गुणांक ट्रियोडको भन्दा सानो छ;

(5) यो विकिरण को लागी अधिक प्रतिरोधी छ।

तेस्रो,MOSFET र ट्रान्जिस्टर तुलना

(१) MOSFET स्रोत, गेट, ड्रेन र ट्रियोड स्रोत, आधार, सेट पोइन्ट पोल समान भूमिकासँग मेल खान्छ।

(2) MOSFET भोल्टेज-नियन्त्रित वर्तमान उपकरण हो, प्रवर्धन गुणांक सानो छ, प्रवर्धन क्षमता कमजोर छ; triode एक वर्तमान-नियन्त्रित भोल्टेज उपकरण हो, प्रवर्धन क्षमता बलियो छ।

(३) MOSFET गेटले मूलतया करेन्ट लिदैन; र triode काम, आधार एक निश्चित वर्तमान अवशोषित हुनेछ। तसर्थ, MOSFET गेट इनपुट प्रतिरोध triode इनपुट प्रतिरोध भन्दा उच्च छ।

(4) MOSFET को प्रवाहकीय प्रक्रियामा पोलिट्रोनको सहभागिता हुन्छ, र ट्रियोडमा दुई प्रकारका वाहकहरू, पोलिट्रोन र ओलिगोट्रोनको सहभागिता हुन्छ, र यसको ओलिगोट्रोनको एकाग्रता तापमान, विकिरण र अन्य कारकहरूबाट धेरै प्रभावित हुन्छ, त्यसैले, MOSFET। ट्रान्जिस्टर भन्दा राम्रो तापमान स्थिरता र विकिरण प्रतिरोध छ। वातावरणीय अवस्था धेरै परिवर्तन हुँदा MOSFET चयन गर्नुपर्छ।

(5) जब MOSFET स्रोत धातु र सब्सट्रेटमा जडान हुन्छ, स्रोत र नाली आदानप्रदान गर्न सकिन्छ र विशेषताहरू धेरै परिवर्तन गर्दैनन्, जबकि जब ट्रान्जिस्टरको कलेक्टर र उत्सर्जक आदानप्रदान गरिन्छ, विशेषताहरू फरक हुन्छन् र β मान। घटाइएको छ।

(6) MOSFET को आवाज फिगर सानो छ।

(७) MOSFET र triode विभिन्न एम्प्लीफायर सर्किट र स्विचिङ सर्किटहरू मिलेर बनेको हुन सक्छ, तर पहिलेले कम पावर, उच्च थर्मल स्थिरता, आपूर्ति भोल्टेजको फराकिलो दायरा खपत गर्छ, त्यसैले यो व्यापक रूपमा ठूला-ठूला र अल्ट्रा-लार्जमा प्रयोग गरिन्छ। मापन एकीकृत सर्किट।

(8) ट्रियोडको अन-प्रतिरोध ठूलो छ, र MOSFET को अन-प्रतिरोध सानो छ, त्यसैले MOSFET हरू सामान्यतया उच्च दक्षताको साथ स्विचको रूपमा प्रयोग गरिन्छ।