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WSM340N10G N- च्यानल 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

उत्पादनहरू

WSM340N10G N- च्यानल 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

WSM340N10G N- च्यानल 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET विशेष छवि
  • WSM340N10G N- च्यानल 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

छोटो विवरण:


  • मोडेल नम्बर:WSM340N10G
  • BVDSS:100V
  • RDSON:1.6mΩ
  • ID:३४०ए
  • च्यानल:N- च्यानल
  • प्याकेज:TOLL-8L
  • उत्पादन सारांश:WSM340N10G MOSFET को भोल्टेज 100V हो, वर्तमान 340A हो, प्रतिरोध 1.6mΩ हो, च्यानल N-च्यानल हो, र प्याकेज TOLL-8L हो।
  • आवेदनहरू:चिकित्सा उपकरण, ड्रोन, PD पावर आपूर्ति, एलईडी पावर आपूर्ति, औद्योगिक उपकरण, आदि।
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    उत्पादन विवरण

    आवेदन

    उत्पादन ट्यागहरू

    सामान्य विवरण

    WSM340N10G चरम उच्च सेल घनत्वको साथ उच्चतम प्रदर्शन ट्रेन्च N-Ch MOSFET हो, जसले धेरै जसो सिंक्रोनस बक कन्भर्टर अनुप्रयोगहरूको लागि उत्कृष्ट RDSON र गेट चार्ज प्रदान गर्दछ। WSM340N10G RoHS र हरियो उत्पादन आवश्यकताहरू पूरा गर्दछ, 100% EAS ग्यारेन्टी पूर्ण प्रकार्य विश्वसनीयता अनुमोदित।

    सुविधाहरू

    उन्नत उच्च सेल घनत्व ट्रेन्च टेक्नोलोजी, सुपर कम गेट चार्ज, उत्कृष्ट CdV/dt प्रभाव गिरावट, 100% EAS ग्यारेन्टी, हरियो उपकरण उपलब्ध।

    अनुप्रयोगहरू

    सिंक्रोनस सुधार, DC/DC कन्भर्टर, लोड स्विच, मेडिकल उपकरण, ड्रोन, PD पावर आपूर्ति, एलईडी पावर आपूर्ति, औद्योगिक उपकरण, आदि।

    महत्त्वपूर्ण प्यारामिटरहरू

    निरपेक्ष अधिकतम मूल्याङ्कन

    प्रतीक प्यारामिटर मूल्याङ्कन एकाइहरू
    VDS ड्रेन-स्रोत भोल्टेज १०० V
    VGS गेट-स्रोत भोल्टेज ±२० V
    ID@TC=25℃ निरन्तर ड्रेन वर्तमान, VGS @ 10V ३४० A
    ID@TC=100℃ निरन्तर ड्रेन वर्तमान, VGS @ 10V 230 A
    IDM स्पंदित नाली वर्तमान..TC=25°C ११५० A
    EAS हिमस्खलन ऊर्जा, एकल पल्स, L=0.5mH १८०० mJ
    IAS हिमस्खलन वर्तमान, एकल पल्स, L=0.5mH १२० A
    PD@TC=25℃ कुल शक्ति अपव्यय ३७५ W
    PD@TC=100℃ कुल शक्ति अपव्यय १८७ W
    TSTG भण्डारण तापमान दायरा -55 देखि 175 सम्म ℃
    TJ सञ्चालन जंक्शन तापमान दायरा १७५ ℃

    विद्युतीय विशेषताहरू (TJ=25℃, अन्यथा उल्लेख नभएसम्म)

    प्रतीक प्यारामिटर सर्तहरू न्यूनतम टाइप गर्नुहोस्। अधिकतम एकाइ
    BVDSS ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज VGS=0V , ID=250uA १०० --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS तापमान गुणांक 25℃ को सन्दर्भ, ID = 1mA --- ०.०९६ --- V/℃
    RDS(चालू) स्थिर नाली-स्रोत अन-प्रतिरोध VGS=10V,ID=50A --- १.६ २.३ mΩ
    VGS(th) गेट थ्रेसहोल्ड भोल्टेज VGS=VDS , ID = 250uA २.० ३.० ४.० V
    △VGS(th) VGS(th) तापक्रम गुणांक --- -५.५ --- mV/℃
    IDSS ड्रेन-स्रोत चुहावट वर्तमान VDS=85V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=85V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS गेट-स्रोत चुहावट वर्तमान VGS=±25V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg गेट प्रतिरोध VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- १.० --- Ω
    Qg कुल गेट चार्ज (10V) VDS=50V , VGS=10V , ID=50A --- 260 --- nC
    Qgs गेट-स्रोत शुल्क --- 80 ---
    Qgd गेट-ड्रेन चार्ज --- 60 ---
    Td(चालू) अन-अन ढिलाइ समय VDD=50V , VGS=10V ,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A। --- 88 --- ns
    Tr उठ्ने समय --- 50 ---
    Td(बन्द) बन्द-बन्द ढिलाइ समय --- २२८ ---
    Tf पतन समय --- ३२२ ---
    Ciss इनपुट क्षमता VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz --- १३९०० --- pF
    कोस आउटपुट क्षमता --- ६१६० ---
    Crss उल्टो स्थानान्तरण क्षमता --- 220 ---
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