MOSFET का कार्यहरू के हुन्?

MOSFET को दुई प्रमुख प्रकारहरू छन्: स्प्लिट जंक्शन प्रकार र इन्सुलेटेड गेट प्रकार। जंक्शन MOSFET (JFET) नाम दिइएको छ किनभने यसमा दुई PN जंक्शनहरू छन्, र इन्सुलेटेड गेटहरू छन्।MOSFET(JGFET) नामाकरण गरिएको हो किनभने गेट अन्य इलेक्ट्रोडहरूबाट पूर्ण रूपमा इन्सुलेटेड छ। हाल, इन्सुलेटेड गेट MOSFET हरू मध्ये, सबैभन्दा बढी प्रयोग हुने MOSFET हो, जसलाई MOSFET (मेटल-अक्साइड-सेमिकन्डक्टर MOSFET) भनिन्छ; थप रूपमा, त्यहाँ PMOS, NMOS र VMOS पावर MOSFET हरू छन्, साथै हालै सुरू गरिएका πMOS र VMOS पावर मोड्युलहरू, आदि।

 

विभिन्न च्यानल अर्धचालक सामग्री अनुसार, जंक्शन प्रकार र इन्सुलेट गेट प्रकार च्यानल र P च्यानल मा विभाजित छन्। यदि चालकता मोड अनुसार विभाजित गरिएको छ भने, MOSFET लाई घटाउने प्रकार र वृद्धि प्रकारमा विभाजन गर्न सकिन्छ। जंक्शन MOSFET हरू सबै घटाउने प्रकार हुन्, र इन्सुलेटेड गेट MOSFET हरू दुवै घटाउने प्रकार र वृद्धि प्रकार हुन्।

क्षेत्र प्रभाव ट्रान्जिस्टरहरू जंक्शन क्षेत्र प्रभाव ट्रान्जिस्टर र MOSFETs मा विभाजित गर्न सकिन्छ। MOSFET हरू चार कोटिहरूमा विभाजित छन्: एन-च्यानल डिप्लेसन प्रकार र वृद्धि प्रकार; P- च्यानल डिप्लेशन प्रकार र वृद्धि प्रकार।

 

MOSFET को विशेषताहरू

MOSFET को विशेषता दक्षिण गेट भोल्टेज UG हो; जसले यसको ड्रेन वर्तमान आईडी नियन्त्रण गर्दछ। साधारण द्विध्रुवी ट्रान्जिस्टरको तुलनामा, MOSFET मा उच्च इनपुट प्रतिबाधा, कम आवाज, ठूलो गतिशील दायरा, कम ऊर्जा खपत, र सजिलो एकीकरणको विशेषताहरू छन्।

 

जब ऋणात्मक पूर्वाग्रह भोल्टेज (-UG) को निरपेक्ष मान बढ्छ, घटाउने तह बढ्छ, च्यानल घट्छ, र ड्रेन वर्तमान ID घट्छ। जब ऋणात्मक पूर्वाग्रह भोल्टेज (-UG) को निरपेक्ष मान घट्छ, घटाउने तह घट्छ, च्यानल बढ्छ, र ड्रेन वर्तमान ID बढ्छ। यो देख्न सकिन्छ कि ड्रेन वर्तमान आईडी गेट भोल्टेज द्वारा नियन्त्रित छ, त्यसैले MOSFET एक भोल्टेज-नियन्त्रित उपकरण हो, अर्थात्, आउटपुट वर्तमानमा परिवर्तनहरू इनपुट भोल्टेजमा परिवर्तनहरूद्वारा नियन्त्रण गरिन्छ, ताकि प्रवर्धन र प्राप्त गर्न। अन्य उद्देश्यहरू।

 

द्विध्रुवी ट्रान्जिस्टरहरू जस्तै, जब MOSFET सर्किटहरू जस्तै एम्प्लीफिकेशनमा प्रयोग गरिन्छ, यसको गेटमा पूर्वाग्रह भोल्टेज पनि थपिनुपर्छ।

जंक्शन फिल्ड इफेक्ट ट्यूबको गेटलाई रिभर्स बायस भोल्टेजको साथ लागू गरिनुपर्छ, अर्थात्, एन-च्यानल ट्यूबमा नकारात्मक गेट भोल्टेज लागू गरिनुपर्छ र पी-च्यानल ट्यूबमा सकारात्मक गेट क्लाउ लागू गर्नुपर्छ। प्रबलित इन्सुलेटेड गेट MOSFET ले अगाडि गेट भोल्टेज लागू गर्नुपर्छ। डिप्लेशन-मोड इन्सुलेट MOSFET को गेट भोल्टेज सकारात्मक, नकारात्मक, वा "0" हुन सक्छ। पूर्वाग्रह थप्ने विधिहरूमा निश्चित पूर्वाग्रह विधि, स्व-आपूर्ति पूर्वाग्रह विधि, प्रत्यक्ष युग्मन विधि, आदि समावेश छन्।

MOSFETDC प्यारामिटरहरू, AC प्यारामिटरहरू र सीमा प्यारामिटरहरू सहित धेरै प्यारामिटरहरू छन्, तर सामान्य प्रयोगमा, तपाईंले केवल निम्न मुख्य प्यारामिटरहरूमा ध्यान दिन आवश्यक छ: संतृप्त ड्रेन-स्रोत वर्तमान IDSS पिन्च-अफ भोल्टेज माथि, (जंक्शन ट्यूब र डिप्लेशन मोड इन्सुलेट गेट ट्यूब, वा टर्न-अन भोल्टेज यूटी (प्रबलित इन्सुलेटेड गेट ट्यूब), ट्रान्सकन्डक्टन्स ग्राम, ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज BUDS, अधिकतम शक्ति अपव्यय PDSM र अधिकतम ड्रेन-स्रोत वर्तमान IDSM।

(1) संतृप्त ड्रेन स्रोत वर्तमान

संतृप्त ड्रेन-स्रोत वर्तमान IDSS ले ड्रेन-स्रोत वर्तमानलाई जनाउँछ जब गेट भोल्टेज UGS=0 जंक्शन वा डिप्लेशन इन्सुलेटेड गेट MOSFET मा हुन्छ।

(२) पिन्च अफ भोल्टेज

पिन्च-अफ भोल्टेज UP ले गेट भोल्टेजलाई बुझाउँछ जब ड्रेन-स्रोत जडान जंक्शन वा डिप्लेशन-प्रकार इन्सुलेटेड गेट MOSFET मा काटिएको छ। N- च्यानल ट्यूबको UGS-ID वक्रको लागि 4-25 मा देखाइएको रूपमा, IDSS र UP को अर्थ स्पष्ट रूपमा देख्न सकिन्छ।

(3) टर्न-अन भोल्टेज

टर्न-अन भोल्टेज UT ले गेट भोल्टेजलाई बुझाउँछ जब ड्रेन-स्रोत जडान भर्खरै प्रबलित इन्सुलेटेड गेट MOSFET मा बनाइन्छ। चित्र 4-27 ले N-च्यानल ट्यूबको UGS-ID वक्र देखाउँछ, र UT को अर्थ स्पष्ट रूपमा देख्न सकिन्छ।

(4) Transconductance

Transconductance gm ले ड्रेन वर्तमान ID लाई नियन्त्रण गर्न गेट-स्रोत भोल्टेज UGS को क्षमता प्रतिनिधित्व गर्दछ, त्यो हो, गेट-स्रोत भोल्टेज UGS मा परिवर्तनको लागि ड्रेन वर्तमान ID मा परिवर्तनको अनुपात। 9m को प्रवर्धन क्षमता मापन गर्न एक महत्त्वपूर्ण प्यारामिटर होMOSFET.

(5) ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज

ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज BUDS ले गेट-स्रोत भोल्टेज UGS स्थिर हुँदा MOSFET ले स्वीकार गर्न सक्ने अधिकतम ड्रेन-स्रोत भोल्टेजलाई जनाउँछ। यो एक सीमित प्यारामिटर हो, र MOSFET मा लागू अपरेटिङ भोल्टेज BUDS भन्दा कम हुनुपर्छ।

(6) अधिकतम शक्ति अपव्यय

अधिकतम पावर डिसिपेसन PDSM एक सीमा प्यारामिटर पनि हो, जसले MOSFET कार्यसम्पादन बिगार्न अनुमति दिएको अधिकतम ड्रेन-स्रोत पावर डिसिपेसनलाई जनाउँछ। प्रयोग गर्दा, MOSFET को वास्तविक बिजुली खपत PDSM भन्दा कम हुनुपर्छ र एक निश्चित मार्जिन छोड्नु पर्छ।

(7) अधिकतम ड्रेन-स्रोत वर्तमान

अधिकतम ड्रेन-स्रोत हालको IDSM अर्को सीमा प्यारामिटर हो, जसले MOSFET सामान्य रूपमा काम गरिरहेको बेला ड्रेन र स्रोतको बीचमा पार गर्न अनुमति दिइएको अधिकतम वर्तमानलाई जनाउँछ। MOSFET को सञ्चालन वर्तमान IDSM भन्दा बढी हुनु हुँदैन।

1. MOSFET प्रवर्धन को लागी प्रयोग गर्न सकिन्छ। MOSFET एम्पलीफायरको इनपुट प्रतिबाधा धेरै उच्च भएकोले, युग्मन क्यापेसिटर सानो हुन सक्छ र इलेक्ट्रोलाइटिक क्यापेसिटरहरू प्रयोग गर्नुपर्दैन।

2. MOSFET को उच्च इनपुट प्रतिबाधा प्रतिबाधा रूपान्तरणको लागि धेरै उपयुक्त छ। यो प्राय: बहु-चरण एम्पलीफायरहरूको इनपुट चरणमा प्रतिबाधा रूपान्तरणको लागि प्रयोग गरिन्छ।

3. MOSFET एक चर प्रतिरोधक रूपमा प्रयोग गर्न सकिन्छ।

4. MOSFET लाई स्थिर वर्तमान स्रोतको रूपमा प्रयोग गर्न सकिन्छ।

5. MOSFET एक इलेक्ट्रोनिक स्विच रूपमा प्रयोग गर्न सकिन्छ।

 

MOSFET मा कम आन्तरिक प्रतिरोध, उच्च प्रतिरोध भोल्टेज, छिटो स्विचिंग, र उच्च हिमस्खलन ऊर्जा को विशेषताहरु छन्। डिजाइन गरिएको वर्तमान स्प्यान 1A-200A हो र भोल्टेज स्प्यान 30V-1200V हो। हामी ग्राहकको अनुप्रयोग क्षेत्रहरू र ग्राहक उत्पादन विश्वसनीयता, समग्र रूपान्तरण दक्षता र उत्पादन मूल्य प्रतिस्पर्धा सुधार गर्न अनुप्रयोग योजनाहरू अनुसार विद्युतीय मापदण्डहरू समायोजन गर्न सक्छौं।

 

MOSFET बनाम ट्रान्जिस्टर तुलना

(1) MOSFET एक भोल्टेज नियन्त्रण तत्व हो, जबकि एक ट्रान्जिस्टर एक वर्तमान नियन्त्रण तत्व हो। जब सिग्नल स्रोतबाट थोरै मात्र करेन्ट लिन अनुमति दिइन्छ, MOSFET प्रयोग गर्नुपर्छ; जब सिग्नल भोल्टेज कम हुन्छ र सिग्नल स्रोतबाट ठूलो मात्रामा करेन्ट लिन अनुमति दिइन्छ, ट्रान्जिस्टर प्रयोग गर्नुपर्छ।

(2) MOSFET ले बिजुली सञ्चालन गर्न बहुसंख्यक वाहकहरू प्रयोग गर्दछ, त्यसैले यसलाई एकध्रुवीय उपकरण भनिन्छ, जबकि ट्रान्जिस्टरहरूमा विद्युत सञ्चालन गर्न बहुमत वाहक र अल्पसंख्यक वाहकहरू हुन्छन्। यसलाई द्विध्रुवी उपकरण भनिन्छ।

(3) केहि MOSFET को स्रोत र नाली एकअर्कासँग प्रयोग गर्न सकिन्छ, र गेट भोल्टेज सकारात्मक वा नकारात्मक हुन सक्छ, जुन ट्रान्जिस्टर भन्दा बढी लचिलो छ।

(4) MOSFET ले धेरै सानो वर्तमान र धेरै कम भोल्टेज अवस्थाहरूमा काम गर्न सक्छ, र यसको निर्माण प्रक्रियाले सजिलैसँग धेरै MOSFET लाई सिलिकन वेफरमा एकीकृत गर्न सक्छ। तसर्थ, MOSFETs व्यापक रूपमा ठूलो मात्रामा एकीकृत सर्किटहरूमा प्रयोग गरिएको छ।

 

MOSFET को गुणस्तर र ध्रुवता कसरी न्याय गर्ने

RX1K मा मल्टिमिटरको दायरा चयन गर्नुहोस्, कालो परीक्षण लिडलाई D पोलमा र रातो परीक्षण लिडलाई S पोलमा जडान गर्नुहोस्। आफ्नो हातले एकै समयमा G र D पोल छुनुहोस्। MOSFET तात्कालिक प्रवाहक स्थितिमा हुनुपर्छ, अर्थात्, मिटर सुई सानो प्रतिरोधको साथ स्थितिमा घुम्छ। , र त्यसपछि आफ्नो हातले G र S पोलहरू छुनुहोस्, MOSFET सँग कुनै प्रतिक्रिया हुनु हुँदैन, त्यो हो, मिटर सुई शून्य स्थितिमा फर्किनेछैन। यस समयमा, यो MOSFET राम्रो ट्यूब हो कि न्याय गर्नुपर्छ।

RX1K मा मल्टिमिटरको दायरा चयन गर्नुहोस्, र MOSFET को तीन पिनहरू बीचको प्रतिरोध मापन गर्नुहोस्। यदि एउटा पिन र अन्य दुई पिनहरू बीचको प्रतिरोध असीम छ, र परीक्षण लीडहरू साटासाट गरेपछि पनि यो असीम छ भने, यो पिन G पोल हो, र अन्य दुई पिनहरू S पोल र D पोल हुन्। त्यसपछि एक पटक S पोल र D पोल बीचको प्रतिरोध मान मापन गर्न मल्टिमिटर प्रयोग गर्नुहोस्, परीक्षण लिडहरू साटासाट गर्नुहोस् र फेरि मापन गर्नुहोस्। सानो प्रतिरोध मानको साथ एक कालो हो। परीक्षण नेतृत्व S पोलमा जडान गरिएको छ, र रातो परीक्षण नेतृत्व D पोलसँग जोडिएको छ।

 

MOSFET पत्ता लगाउने र प्रयोग सावधानीहरू

1. MOSFET पहिचान गर्न एक सूचक मल्टिमिटर प्रयोग गर्नुहोस्

1) जंक्शन MOSFET को इलेक्ट्रोड पहिचान गर्न प्रतिरोध मापन विधि प्रयोग गर्नुहोस्

MOSFET को PN जंक्शनको अगाडि र उल्टो प्रतिरोध मानहरू फरक छन् भन्ने घटनाको अनुसार, जंक्शन MOSFET को तीन इलेक्ट्रोडहरू पहिचान गर्न सकिन्छ। विशिष्ट विधि: मल्टिमिटरलाई R×1k दायरामा सेट गर्नुहोस्, कुनै पनि दुई इलेक्ट्रोडहरू चयन गर्नुहोस्, र क्रमशः तिनीहरूको अगाडि र उल्टो प्रतिरोध मानहरू मापन गर्नुहोस्। जब दुई इलेक्ट्रोडको अगाडि र उल्टो प्रतिरोध मानहरू बराबर हुन्छन् र धेरै हजार ओम हुन्छन्, तब दुई इलेक्ट्रोडहरू क्रमशः ड्रेन D र स्रोत S हुन्। जंक्शन MOSFET हरूका लागि, ड्रेन र स्रोत आदानप्रदानयोग्य हुनाले, बाँकी इलेक्ट्रोड गेट G हुनुपर्छ। तपाईंले मल्टिमिटरको ब्ल्याक टेस्ट लिड (रातो परीक्षण लिड पनि स्वीकार्य छ) लाई कुनै पनि इलेक्ट्रोडमा छुन सक्नुहुन्छ, र अर्को परीक्षण नेतृत्वलाई प्रतिरोध मान मापन गर्न क्रम मा बाँकी दुई इलेक्ट्रोड छुनुहोस्। जब दुई पटक मापन गरिएको प्रतिरोध मानहरू लगभग बराबर हुन्छन्, कालो परीक्षण नेतृत्वसँग सम्पर्कमा रहेको इलेक्ट्रोड गेट हो, र अन्य दुई इलेक्ट्रोडहरू क्रमशः ड्रेन र स्रोत हुन्। यदि दुई पटक मापन गरिएको प्रतिरोध मानहरू दुवै धेरै ठूला छन् भने, यसको मतलब यो PN जंक्शनको उल्टो दिशा हो, अर्थात्, तिनीहरू दुवै रिभर्स प्रतिरोधहरू हुन्। यो एक एन-च्यानल MOSFET हो कि निर्धारण गर्न सकिन्छ, र कालो परीक्षण नेतृत्व गेट जोडिएको छ; यदि प्रतिरोध मानहरू दुई पटक मापन गरिएको छ भने प्रतिरोध मानहरू धेरै सानो छन्, यो एक फर्वार्ड PN जंक्शन हो, अर्थात्, एक फर्वार्ड प्रतिरोध हो, र यो P- च्यानल MOSFET हुन निश्चित छ। कालो टेस्ट लिड पनि गेटमा जोडिएको छ। यदि माथिको अवस्था देखा पर्दैन भने, तपाईंले कालो र रातो टेस्ट लिडहरू प्रतिस्थापन गर्न सक्नुहुन्छ र ग्रिड पहिचान नभएसम्म माथिको विधि अनुसार परीक्षण सञ्चालन गर्न सक्नुहुन्छ।

 

2) MOSFET को गुणस्तर निर्धारण गर्न प्रतिरोध मापन विधि प्रयोग गर्नुहोस्

प्रतिरोध मापन विधि भनेको MOSFET को स्रोत र नाली, गेट र स्रोत, गेट र ड्रेन, गेट G1 र गेट G2 बीचको प्रतिरोध मापन गर्न मल्टिमिटर प्रयोग गर्नु हो कि यो MOSFET म्यानुअलमा संकेत गरिएको प्रतिरोध मानसँग मेल खान्छ कि छैन भनेर निर्धारण गर्न। व्यवस्थापन राम्रो वा नराम्रो हो। विशिष्ट विधि: पहिले, मल्टिमिटरलाई R×10 वा R×100 दायरामा सेट गर्नुहोस्, र स्रोत S र ड्रेन D बीचको प्रतिरोध नाप्नुहोस्, सामान्यतया दसौं ओमदेखि धेरै हजार ओमको दायरामा (यसलाई मा देख्न सकिन्छ। म्यानुअल कि विभिन्न मोडेल ट्यूब, तिनीहरूको प्रतिरोध मान फरक छन्), यदि मापन प्रतिरोध मान सामान्य मान भन्दा ठूलो छ भने, यो खराब आन्तरिक सम्पर्कको कारण हुन सक्छ; यदि मापन गरिएको प्रतिरोध मान असीमित छ भने, यो आन्तरिक भाँचिएको पोल हुन सक्छ। त्यसपछि मल्टिमिटरलाई R×10k दायरामा सेट गर्नुहोस्, र त्यसपछि G1 र G2 गेटहरू, गेट र स्रोतको बीचमा, र गेट र ड्रेन बीचको प्रतिरोध मानहरू मापन गर्नुहोस्। जब मापन गरिएको प्रतिरोध मानहरू सबै अनन्त छन्, तब यसको मतलब ट्यूब सामान्य छ; यदि माथिको प्रतिरोध मानहरू धेरै सानो छन् वा त्यहाँ बाटो छ भने, यसको मतलब ट्यूब खराब छ। यो ध्यान दिनुपर्छ कि यदि ट्यूबमा दुईवटा गेटहरू भाँचिएका छन् भने, कम्पोनेन्ट प्रतिस्थापन विधि पत्ता लगाउन प्रयोग गर्न सकिन्छ।

 

3) MOSFET को प्रवर्धन क्षमता अनुमान गर्न प्रेरण संकेत इनपुट विधि प्रयोग गर्नुहोस्

विशिष्ट विधि: मल्टिमिटर प्रतिरोधको R×100 स्तर प्रयोग गर्नुहोस्, रातो परीक्षण लिडलाई स्रोत S मा जडान गर्नुहोस्, र कालो परीक्षण लिड ड्रेन D मा जडान गर्नुहोस्। MOSFET मा 1.5V पावर सप्लाई भोल्टेज थप्नुहोस्। यस समयमा, नाली र स्रोत बीचको प्रतिरोध मान मीटर सुई द्वारा संकेत गरिएको छ। त्यसपछि जंक्शन MOSFET को गेट G लाई आफ्नो हातले पिन्च गर्नुहोस्, र गेटमा मानव शरीरको प्रेरित भोल्टेज संकेत थप्नुहोस्। यस तरिकाले, ट्यूबको प्रवर्धन प्रभावको कारण, ड्रेन-स्रोत भोल्टेज VDS र ड्रेन वर्तमान Ib परिवर्तन हुनेछ, अर्थात्, नाली र स्रोत बीचको प्रतिरोध परिवर्तन हुनेछ। यसबाट, यो देख्न सकिन्छ कि मिटर सुई धेरै हदसम्म घुम्छ। यदि हातमा समातिएको ग्रिड सुईको सुई थोरै घुम्छ भने, यसको मतलब ट्यूबको प्रवर्धन क्षमता कमजोर छ; यदि सुई धेरै घुम्छ भने, यसको मतलब ट्यूबको प्रवर्धन क्षमता ठूलो छ; यदि सुई चल्दैन भने, यसको मतलब ट्यूब खराब छ।

 

माथिको विधि अनुसार, हामी जंक्शन MOSFET 3DJ2F मापन गर्न मल्टिमिटरको R×100 स्केल प्रयोग गर्छौं। पहिले ट्यूबको G इलेक्ट्रोड खोल्नुहोस् र ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध RDS 600Ω मापन गर्नुहोस्। आफ्नो हातले G इलेक्ट्रोड समातेपछि, मिटर सुई बायाँतिर घुम्छ। संकेतित प्रतिरोध RDS 12kΩ हो। यदि मिटर सुई ठुलो घुम्छ भने, यसको मतलब ट्यूब राम्रो छ। , र ठूलो प्रवर्धन क्षमता छ।

 

यो विधि प्रयोग गर्दा ध्यान दिनुपर्ने केही बुँदाहरू छन्: पहिलो, MOSFET परीक्षण गर्दा र आफ्नो हातले गेट समात्दा, मल्टिमिटर सुई दायाँ (प्रतिरोध मान घट्छ) वा बायाँतिर (प्रतिरोध मान बढ्छ) स्विङ हुन सक्छ। । यो तथ्यको कारण हो कि मानव शरीर द्वारा प्रेरित AC भोल्टेज अपेक्षाकृत उच्च छ, र विभिन्न MOSFETs मा फरक कार्य बिन्दु हुन सक्छ जब एक प्रतिरोध दायरा (या त संतृप्त क्षेत्र वा असंतृप्त क्षेत्रमा काम गर्दछ) मापन गरिन्छ। धेरैजसो ट्यूबको आरडीएस बढेको परीक्षणले देखाएको छ। त्यो हो, घडी हात बायाँ तिर घुम्छ; केही ट्यूबहरूको आरडीएस घट्छ, जसले घडीको हात दायाँतिर घुमाउँछ।

तर घडीको हात जुन दिशामा झुल्छ, घडीको हात ठुलो हुँदासम्म, यसको मतलब ट्यूबमा प्रवर्द्धन क्षमता बढी हुन्छ। दोस्रो, यो विधि MOSFET को लागि पनि काम गर्दछ। तर यो ध्यान दिनुपर्छ कि MOSFET को इनपुट प्रतिरोध उच्च छ, र गेट G को अनुमति दिइएको भोल्टेज धेरै उच्च हुनु हुँदैन, त्यसैले गेटलाई सीधा आफ्नो हातले पिन्च नगर्नुहोस्। धातुको रडले गेट छोउन तपाईंले स्क्रू ड्राइभरको इन्सुलेटेड ह्यान्डल प्रयोग गर्नुपर्छ। , मानव शरीर द्वारा प्रेरित चार्ज लाई सीधै गेटमा थपिनबाट रोक्नको लागि, गेट ब्रेकडाउनको कारण। तेस्रो, प्रत्येक मापन पछि, GS पोलहरू छोटो-सर्किट हुनुपर्छ। यो किनभने त्यहाँ GS जंक्शन क्यापेसिटरमा थोरै मात्रामा चार्ज हुनेछ, जसले VGS भोल्टेज बनाउँछ। फलस्वरूप, फेरि मापन गर्दा मिटरको हातहरू नचल्न सक्छन्। चार्ज डिस्चार्ज गर्ने एकमात्र तरिका GS इलेक्ट्रोडहरू बीचको चार्जलाई सर्ट सर्किट गर्नु हो।

4) अचिह्नित MOSFETs पहिचान गर्न प्रतिरोध मापन विधि प्रयोग गर्नुहोस्

पहिले, प्रतिरोध मानहरू सहित दुई पिनहरू फेला पार्न प्रतिरोध मापन गर्ने विधि प्रयोग गर्नुहोस्, अर्थात् स्रोत S र ड्रेन D। बाँकी दुई पिनहरू पहिलो गेट G1 र दोस्रो गेट G2 हुन्। पहिले दुई परीक्षण लिडहरूद्वारा नापिएको स्रोत S र ड्रेन D बीचको प्रतिरोध मान लेख्नुहोस्। परीक्षण लीडहरू स्विच गर्नुहोस् र फेरि मापन गर्नुहोस्। मापन गरिएको प्रतिरोध मान लेख्नुहोस्। दुई पटक मापन गरिएको ठूलो प्रतिरोध मानको साथ एक कालो परीक्षण नेतृत्व हो। जोडिएको इलेक्ट्रोड नाली D हो; रेड टेस्ट लीड स्रोत S मा जडान गरिएको छ। यस विधिद्वारा पहिचान गरिएका S र D पोलहरूलाई पनि ट्यूबको प्रवर्धन क्षमता अनुमान गरेर प्रमाणित गर्न सकिन्छ। त्यो हो, ठूलो एम्प्लीफिकेशन क्षमताको साथ कालो परीक्षण नेतृत्व D पोलसँग जोडिएको छ; रातो परीक्षण लीड 8-ध्रुवमा जमिनसँग जोडिएको छ। दुवै विधिहरूको परीक्षण परिणामहरू समान हुनुपर्छ। ड्रेन D र स्रोत S को स्थितिहरू निर्धारण गरेपछि, D र S को सम्बन्धित स्थानहरू अनुसार सर्किट स्थापना गर्नुहोस्। सामान्यतया, G1 र G2 पनि अनुक्रममा पङ्क्तिबद्ध हुनेछन्। यसले दुई गेटहरू G1 र G2 को स्थिति निर्धारण गर्दछ। यसले D, S, G1 र G2 पिनको क्रम निर्धारण गर्दछ।

5) transconductance को आकार निर्धारण गर्न रिभर्स प्रतिरोध मान मा परिवर्तन प्रयोग गर्नुहोस्

VMOSN च्यानल वृद्धि MOSFET को ट्रान्सकन्डक्टेन्स कार्यसम्पादन मापन गर्दा, तपाईंले स्रोत S र कालो परीक्षण लिडलाई ड्रेन D मा जडान गर्न रातो परीक्षण लिड प्रयोग गर्न सक्नुहुन्छ। यो स्रोत र नाली बीचको रिभर्स भोल्टेज थप्न बराबर हो। यस समयमा, गेट खुला सर्किट छ, र ट्यूब को उल्टो प्रतिरोध मान धेरै अस्थिर छ। R×10kΩ को उच्च प्रतिरोधी दायरामा मल्टिमिटरको ओम दायरा चयन गर्नुहोस्। यस समयमा, मिटरमा भोल्टेज उच्च छ। जब तपाईंले आफ्नो हातले ग्रिड G लाई छुनुहुन्छ, तपाईंले फेला पार्नुहुनेछ कि ट्यूबको उल्टो प्रतिरोध मान उल्लेखनीय रूपमा परिवर्तन हुन्छ। जति धेरै परिवर्तन हुन्छ, ट्यूबको ट्रान्सकन्डक्टन्स मूल्य उति नै बढी हुन्छ; यदि परीक्षण अन्तर्गत ट्यूबको transconductance धेरै सानो छ भने, कहिले मापन गर्न यो विधि प्रयोग गर्नुहोस्, उल्टो प्रतिरोध थोरै परिवर्तन हुन्छ।

 

MOSFET प्रयोगको लागि सावधानीहरू

1) MOSFET सुरक्षित रूपमा प्रयोग गर्नको लागि, मापदण्डहरूको सीमा मानहरू जस्तै ट्यूबको फैलिएको पावर, अधिकतम ड्रेन-स्रोत भोल्टेज, अधिकतम गेट-स्रोत भोल्टेज, र सर्किट डिजाइनमा अधिकतम वर्तमानलाई नाघ्न सकिँदैन।

2) विभिन्न प्रकारका MOSFETs प्रयोग गर्दा, तिनीहरू आवश्यक पूर्वाग्रहको साथ सर्किटमा जोडिएको हुनुपर्छ, र MOSFET पूर्वाग्रहको ध्रुवता अवलोकन गरिनुपर्छ। उदाहरण को लागी, जंक्शन MOSFET को गेट स्रोत र नाली बीच एक PN जंक्शन छ, र N-च्यानल ट्यूब को गेट सकारात्मक पक्षपाती हुन सक्दैन; P- च्यानल ट्यूबको गेट नकारात्मक पक्षपाती हुन सक्दैन, आदि।

3) MOSFET को इनपुट प्रतिबाधा अत्यन्त उच्च भएको कारणले, पिनहरू यातायात र भण्डारणको समयमा छोटो-सर्किट हुनुपर्छ, र गेटको बिच्छेदनबाट बाहिरी प्रेरित क्षमतालाई रोक्नको लागि धातुको ढालले प्याकेज गर्नुपर्छ। विशेष गरी, कृपया ध्यान दिनुहोस् कि MOSFET लाई प्लास्टिकको बक्समा राख्न सकिँदैन। यो धातु बक्स मा भण्डारण गर्न सबै भन्दा राम्रो छ। एकै समयमा, ट्यूब नमी-प्रूफ राख्न ध्यान दिनुहोस्।

4) MOSFET गेट इन्डक्टिव ब्रेकडाउन रोक्नको लागि, सबै परीक्षण उपकरणहरू, वर्कबेन्चहरू, सोल्डरिङ आइरनहरू, र सर्किटहरू आफैं राम्रोसँग ग्राउन्ड हुनुपर्छ; पिनहरू सोल्डर गर्दा, पहिले स्रोत सोल्डर गर्नुहोस्; सर्किटमा जडान गर्नु अघि, ट्यूबको सबै सिसाको छेउहरू एकअर्कामा छोटो-सर्किट हुनुपर्छ, र वेल्डिङ पूरा भएपछि छोटो-सर्किट सामग्री हटाउनु पर्छ; कम्पोनेन्ट र्याकबाट ट्यूब हटाउँदा, मानव शरीर ग्राउन्ड गरिएको छ भनी सुनिश्चित गर्न उपयुक्त विधिहरू प्रयोग गरिनुपर्छ, जस्तै ग्राउन्डिङ रिङ प्रयोग गरेर; निस्सन्देह, यदि उन्नत A ग्यास-तातो सोल्डरिंग फलाम MOSFETs वेल्डिंगको लागि अधिक सुविधाजनक छ र सुरक्षा सुनिश्चित गर्दछ; पावर बन्द हुनु अघि ट्यूबलाई सर्किटमा घुसाउनु वा बाहिर निकाल्नु हुँदैन। MOSFET प्रयोग गर्दा माथिको सुरक्षा उपायहरूमा ध्यान दिनु पर्छ।

5) MOSFET स्थापना गर्दा, स्थापना स्थितिमा ध्यान दिनुहोस् र ताप तत्वको नजिक हुनबाट जोगिन प्रयास गर्नुहोस्; पाइप फिटिंग को कम्पन रोक्न को लागी, यो ट्यूब शेल कस गर्न आवश्यक छ; जब पिन लिडहरू झुकेका हुन्छन्, तिनीहरूले पिनलाई झुकाउने र हावा चुहावट हुनबाट जोगिनका लागि जराको आकार भन्दा 5 मिमी ठूलो हुनुपर्छ।

पावर MOSFET को लागि, राम्रो गर्मी अपव्यय अवस्था आवश्यक छ। किनभने पावर MOSFET हरू उच्च लोड अवस्थाहरूमा प्रयोग गरिन्छ, पर्याप्त ताप सिङ्कहरू यो सुनिश्चित गर्नको लागि डिजाइन गरिएको हुनुपर्छ कि केसको तापक्रम मूल्याङ्कन गरिएको मान भन्दा बढि नहोस् ताकि उपकरणले लामो समयसम्म स्थिर र भरपर्दो रूपमा काम गर्न सक्छ।

छोटकरीमा, MOSFETs को सुरक्षित प्रयोग सुनिश्चित गर्न, त्यहाँ ध्यान दिन धेरै चीजहरू छन्, र त्यहाँ विभिन्न सुरक्षा उपायहरू पनि छन्। व्यावसायिक र प्राविधिक कर्मचारीहरूको बहुमत, विशेष गरी इलेक्ट्रोनिक उत्साहीहरूको बहुमतले, तिनीहरूको वास्तविक अवस्थाको आधारमा अगाडि बढ्नु पर्छ र MOSFETs सुरक्षित र प्रभावकारी रूपमा प्रयोग गर्न व्यावहारिक तरिकाहरू अपनाउनुपर्छ।