MOSFET के हो? मुख्य मापदण्डहरू के हुन्?

एक स्विचिंग पावर सप्लाई वा मोटर ड्राइभ सर्किट प्रयोग गरी डिजाइन गर्दाMOSFETs, कारकहरू जस्तै अन-प्रतिरोध, अधिकतम भोल्टेज, र MOS को अधिकतम वर्तमान सामान्यतया विचार गरिन्छ।

MOSFET ट्युबहरू FET को एक प्रकार हुन् जसलाई कुल 4 प्रकारका लागि वृद्धि वा घटाउने प्रकार, P- च्यानल वा N- च्यानलको रूपमा बनाउन सकिन्छ। संवर्द्धन NMOSFETs र वृद्धि PMOSFETs सामान्यतया प्रयोग गरिन्छ, र यी दुई सामान्यतया उल्लेख गरिन्छ।

यी दुई अधिक प्रयोग गरिन्छ NMOS हो। कारण यो हो कि प्रवाहकीय प्रतिरोध सानो र निर्माण गर्न सजिलो छ। तसर्थ, NMOS सामान्यतया विद्युत आपूर्ति र मोटर ड्राइभ अनुप्रयोगहरू स्विच गर्न प्रयोग गरिन्छ।

MOSFET भित्र, एक थायरिस्टर नाली र स्रोतको बीचमा राखिएको छ, जुन मोटरहरू जस्ता आगमनात्मक भारहरू चलाउन धेरै महत्त्वपूर्ण छ, र यो एकल MOSFET मा मात्र हुन्छ, सामान्यतया एकीकृत सर्किट चिपमा हुँदैन।

MOSFET को तीन पिनहरू बीच परजीवी क्यापेसिटन्स अवस्थित छ, हामीलाई यो आवश्यक छैन, तर निर्माण प्रक्रियाको सीमितताका कारण। ड्राइभर सर्किट डिजाइन गर्दा वा चयन गर्दा परजीवी क्यापेसिटन्सको उपस्थितिले यसलाई थप जटिल बनाउँछ, तर यसलाई बेवास्ता गर्न सकिँदैन।

 

को मुख्य मापदण्डहरूMOSFET

1, खुला भोल्टेज VT

खुला भोल्टेज (थ्रेसहोल्ड भोल्टेज पनि भनिन्छ): ताकि गेट भोल्टेज स्रोत S र नाली D बीच एक प्रवाहकीय च्यानल गठन सुरु गर्न आवश्यक छ; मानक एन-च्यानल MOSFET, VT लगभग 3 ~ 6V छ; प्रक्रिया सुधारहरू मार्फत, MOSFET VT मान 2 ~ 3V मा घटाउन सकिन्छ।

 

2, DC इनपुट प्रतिरोध RGS

गेट स्रोत पोल र गेट करन्ट बीच थपिएको भोल्टेजको अनुपात यो विशेषता कहिलेकाहीँ गेटबाट बहने गेट करन्टद्वारा व्यक्त गरिन्छ, MOSFET को RGS सजिलै 1010Ω नाघ्न सक्छ।

 

3. नाली स्रोत ब्रेकडाउन BVDS भोल्टेज।

VGS = 0 (बृद्धि गरिएको) को अवस्था अन्तर्गत, ड्रेन-स्रोत भोल्टेज बढाउने प्रक्रियामा, ID तीव्र रूपमा बढ्छ जब VDS लाई ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज BVDS भनिन्छ, ID दुई कारणले तीव्र रूपमा बढ्छ: (1) हिमस्रोत नालीको छेउमा रहेको डिप्लेसन लेयरको ब्रेकडाउन, (२) नाली र स्रोत पोलहरू बीचको प्रवेश ब्रेकडाउन, केही MOSFETs, जसको छोटो खाडल लम्बाइ छ, VDS बढाउनुहोस् ताकि ड्रेन क्षेत्रमा नाली तह स्रोत क्षेत्रमा विस्तार हुन्छ, च्यानलको लम्बाइ शून्य बनाउनु हो, अर्थात्, नाली-स्रोत प्रवेश, प्रवेश उत्पादन गर्न, स्रोत क्षेत्रका अधिकांश वाहकहरू सिधै डिप्लेशन तहको विद्युतीय क्षेत्रद्वारा ड्रेन क्षेत्रमा आकर्षित हुनेछन्, परिणामस्वरूप ठूलो ID हुन्छ। ।

 

4, गेट स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज BVGS

जब गेट भोल्टेज बढाइन्छ, VGS जब IG लाई शून्यबाट बढाइन्छ गेट स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज BVGS भनिन्छ।

 

5,कम आवृत्ति transconductance

जब VDS एक निश्चित मान हो, गेट स्रोत भोल्टेजको माइक्रोवेरिएसनमा ड्रेन करन्टको माइक्रोवेरिएसनको अनुपात जसले परिवर्तन निम्त्याउँछ त्यसलाई ट्रान्सकन्डक्टन्स भनिन्छ, जसले गेट स्रोत भोल्टेजको ड्रेन प्रवाहलाई नियन्त्रण गर्ने क्षमतालाई प्रतिबिम्बित गर्दछ, र एक हो। महत्त्वपूर्ण प्यारामिटर जसले प्रवर्धन क्षमताको विशेषता गर्दछMOSFET.

 

6, अन-प्रतिरोध RON

अन-प्रतिरोध RON ले ID मा VDS को प्रभाव देखाउँछ, एक निश्चित बिन्दुमा ड्रेन विशेषताहरूको स्पर्श रेखाको ढलानको उल्टो हो, संतृप्ति क्षेत्रमा, ID लगभग VDS सँग परिवर्तन हुँदैन, RON एक धेरै ठूलो छ। मान, सामान्यतया दसौं किलो-ओम देखि सयौं किलो-ओहम सम्म, किनभने डिजिटल सर्किटहरूमा, MOSFET हरू प्रायः प्रवाहकीय VDS = ० को अवस्थामा काम गर्दछ, त्यसैले यस बिन्दुमा, अन-रेजिस्टेन्स RON लाई अनुमानित गर्न सकिन्छ। सामान्य MOSFET को लागि अनुमानित RON को उत्पत्ति, RON मान केहि सय ओम भित्र।

 

7, अन्तर-ध्रुवीय क्षमता

इन्टरपोलर क्यापेसिटन्स तीन इलेक्ट्रोडहरू बीच अवस्थित छ: गेट स्रोत क्यापेसिटन्स CGS, गेट ड्रेन क्यापेसिटन्स CGD र ड्रेन सोर्स क्यापेसिटन्स CDS-CGS र CGD लगभग 1 ~ 3pF छ, CDS लगभग 0.1 ~ 1pF हो।

 

8,कम आवृत्ति शोर कारक

पाइपलाइनमा वाहकहरूको आवतजावतमा अनियमितताका कारण आवाज आउँछ। यसको उपस्थितिको कारण, अनियमित भोल्टेज वा वर्तमान भिन्नताहरू आउटपुटमा देखा पर्दछ यदि एम्प्लीफायरले कुनै संकेत प्रदान नगरे पनि। शोर प्रदर्शन सामान्यतया शोर कारक NF को सर्तमा व्यक्त गरिन्छ। एकाइ डेसिबल (dB) हो। मूल्य जति सानो हुन्छ, ट्यूबले कम शोर उत्पादन गर्छ। कम-फ्रिक्वेन्सी शोर कारक कम आवृत्ति दायरामा मापन गरिएको आवाज कारक हो। फिल्ड इफेक्ट ट्यूबको शोर कारक लगभग केहि डीबी हुन्छ, द्विध्रुवी ट्रियोड भन्दा कम।