MOSFETs को प्रयोग के हो?

MOSFETsव्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ। अब केहि ठूला-स्तरीय एकीकृत सर्किटहरू MOSFET प्रयोग गरिन्छ, आधारभूत प्रकार्य र BJT ट्रान्जिस्टर, स्विचिङ र एम्प्लीफिकेशन हुन्। मूलतया BJT triode प्रयोग गर्न सकिन्छ जहाँ यो प्रयोग गर्न सकिन्छ, र केहि स्थानहरूमा प्रदर्शन triode भन्दा राम्रो छ।

 

MOSFET का प्रवर्धन

MOSFET र BJT triode, यद्यपि दुबै अर्धचालक एम्पलीफायर उपकरण, तर triode भन्दा बढी फाइदाहरू, जस्तै उच्च इनपुट प्रतिरोध, सिग्नल स्रोत लगभग कुनै वर्तमान, इनपुट संकेत को स्थिरता को लागी अनुकूल छ। यो इनपुट स्टेज एम्पलीफायरको रूपमा एक आदर्श उपकरण हो, र कम शोर र राम्रो तापमान स्थिरताका फाइदाहरू पनि छन्। यो प्राय: अडियो प्रवर्धन सर्किट को लागी एक preamplifier को रूप मा प्रयोग गरिन्छ। यद्यपि, यो भोल्टेज-नियन्त्रित वर्तमान यन्त्र भएको कारणले गेट स्रोतको बीचको भोल्टेजद्वारा ड्रेन करन्ट नियन्त्रण गरिन्छ, कम-फ्रिक्वेन्सी ट्रान्सकन्डक्टन्सको प्रवर्धन गुणांक सामान्यतया ठूलो हुँदैन, त्यसैले प्रवर्धन क्षमता कमजोर हुन्छ।

 

MOSFET को स्विच प्रभाव

MOSFET लाई इलेक्ट्रोनिक स्विचको रूपमा प्रयोग गरिन्छ, केवल पोलीओन चालकतामा भर पर्नको लागि, त्यहाँ BJT ट्रियोड जस्तो कुनै आधार वर्तमान र चार्ज भण्डारण प्रभावको कारण छैन, त्यसैले MOSFET को स्विचिंग गति ट्रियोड भन्दा छिटो छ, एक स्विचिंग ट्यूबको रूपमा। प्रायः उच्च आवृत्ति उच्च-वर्तमान अवसरहरूको लागि प्रयोग गरिन्छ, जस्तै MOSFET मा कामको उच्च-फ्रिक्वेन्सी उच्च-वर्तमान अवस्थामा प्रयोग हुने बिजुली आपूर्तिहरू स्विच गर्ने। BJT ट्रियोड स्विचहरूको तुलनामा, MOSFET स्विचहरू साना भोल्टेजहरू र करेन्टहरूमा काम गर्न सक्छन्, र सिलिकन वेफर्समा एकीकृत गर्न सजिलो हुन्छ, त्यसैले तिनीहरू ठूलो मात्रामा एकीकृत सर्किटहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ।

प्रयोग गर्दा के सावधानीहरू छन्MOSFETs?

MOSFETs ट्रायोडहरू भन्दा बढी नाजुक हुन्छन् र अनुचित प्रयोगबाट सजिलै क्षतिग्रस्त हुन सक्छ, त्यसैले तिनीहरूलाई प्रयोग गर्दा विशेष हेरचाह गर्नुपर्छ।

(१) विभिन्न प्रयोगका अवसरहरूको लागि उपयुक्त प्रकारको MOSFET चयन गर्न आवश्यक छ।

(2) MOSFETs, विशेष गरी इन्सुलेटेड-गेट MOSFETs, उच्च इनपुट प्रतिबाधा छ, र गेट इन्डक्टन्स चार्जको कारण ट्यूबलाई क्षति हुनबाट जोगाउन प्रयोगमा नभएको बेला प्रत्येक इलेक्ट्रोडमा छोटो हुनुपर्छ।

(3) जंक्शन MOSFET को गेट स्रोत भोल्टेज उल्टाउन सकिँदैन, तर खुला सर्किट स्थितिमा बचत गर्न सकिन्छ।

(4) MOSFET को उच्च इनपुट प्रतिबाधा कायम राख्नको लागि, ट्यूबलाई चिसोबाट जोगाउनु पर्छ र प्रयोगको वातावरणमा सुक्खा राख्नु पर्छ।

(५) MOSFET सँग सम्पर्कमा रहेका चार्ज गरिएका वस्तुहरू (जस्तै सोल्डरिङ आइरन, परीक्षण उपकरणहरू, आदि) लाई ट्यूबलाई क्षति हुनबाट जोगाउन ग्राउन्ड गर्न आवश्यक छ। विशेष गरी जब वेल्डिंग इन्सुलेटेड गेट MOSFET, स्रोत अनुसार - वेल्डिंग को गेट क्रमिक क्रम, यो पावर बन्द पछि वेल्ड गर्न सबै भन्दा राम्रो छ। सोल्डरिङ फलामको 15 ~ 30W को शक्ति उपयुक्त छ, एक वेल्डिंग समय 10 सेकेन्ड भन्दा बढी हुनु हुँदैन।

(6) इन्सुलेटेड गेट MOSFET लाई मल्टिमिटरसँग परीक्षण गर्न सकिँदैन, केवल एक परीक्षकको साथ परीक्षण गर्न सकिन्छ, र इलेक्ट्रोडको सर्ट-सर्किट तारहरू हटाउन परीक्षकमा पहुँच पछि मात्र। जब हटाइयो, गेट ओभरह्याङबाट बच्नको लागि हटाउनु अघि इलेक्ट्रोडहरू सर्ट सर्किट गर्न आवश्यक छ।

(7) प्रयोग गर्दाMOSFETsसब्सट्रेट लिडहरूसँग, सब्सट्रेट लीडहरू राम्ररी जोडिएको हुनुपर्छ।