MOSFET को चार क्षेत्रहरू के हुन्?

 

N-च्यानल वृद्धि MOSFET को चार क्षेत्रहरू

(१) चर प्रतिरोध क्षेत्र (असंतृप्त क्षेत्र पनि भनिन्छ)

Ucs" Ucs (th) (टर्न-अन भोल्टेज), uDs" UGs-Ucs (th), चित्रमा प्रिक्लेम्प गरिएको ट्रेसको बायाँतिरको क्षेत्र हो जहाँ च्यानल खोलिएको छ। यस क्षेत्रमा UDs को मूल्य सानो छ, र च्यानल प्रतिरोध मूलतः UGs द्वारा मात्र नियन्त्रण गरिन्छ। जब uGs निश्चित हुन्छ, ip र uDs लाई रैखिक सम्बन्धमा, क्षेत्रलाई सीधा रेखाहरूको सेटको रूपमा अनुमानित गरिन्छ। यस समयमा, क्षेत्र प्रभाव ट्यूब D, S भोल्टेज UGS को बराबरको बीचमा

भोल्टेज UGS चर प्रतिरोध द्वारा नियन्त्रित।

(२) स्थिर वर्तमान क्षेत्र (संतृप्ति क्षेत्र, प्रवर्धन क्षेत्र, सक्रिय क्षेत्र पनि भनिन्छ)

Ucs ≥ Ucs (h) र Ubs ≥ UcsUssth), प्रि-पिन्च अफ ट्र्याकको दायाँ छेउको फिगरको लागि, तर यस क्षेत्रमा अझै टुक्रिएको छैन, क्षेत्रमा, जब uGs हुनुपर्छ, ib लगभग गर्दैन। UDs को साथ परिवर्तन, एक स्थिर-वर्तमान विशेषताहरू हो। i केवल UGs द्वारा नियन्त्रित हुन्छ, त्यसपछि MOSFETD, S हालको स्रोतको भोल्टेज uGs नियन्त्रणको बराबर हो। MOSFET प्रवर्धन सर्किट मा प्रयोग गरिन्छ, सामान्यतया MOSFET D को काम मा, S एक भोल्टेज uGs नियन्त्रण वर्तमान स्रोत को बराबर छ। MOSFET एम्प्लीफिकेशन सर्किटहरूमा प्रयोग गरिन्छ, सामान्यतया क्षेत्रमा काम गर्दछ, त्यसैले प्रवर्धन क्षेत्र पनि भनिन्छ।

(३) क्लिप अफ क्षेत्र (कट-अफ क्षेत्र पनि भनिन्छ)

क्लिप-अफ क्षेत्र (कट-अफ क्षेत्र पनि भनिन्छ) ucs "Ues (th) लाई भेट्नको लागि क्षेत्रको तेर्सो अक्ष नजिकको आंकडाको लागि, च्यानल सबै बन्द गरिएको छ, जसलाई पूर्ण क्लिप अफ भनिन्छ, io = 0 , ट्यूबले काम गर्दैन।

(4) ब्रेकडाउन क्षेत्र स्थान

ब्रेकडाउन क्षेत्र चित्रको दायाँ छेउमा रहेको क्षेत्रमा अवस्थित छ। बढ्दो UDs संग, PN जंक्शन धेरै रिभर्स भोल्टेज र ब्रेकडाउनको अधीनमा छ, ip तीव्र रूपमा बढ्छ। ब्रेकडाउन क्षेत्रमा काम गर्नबाट बच्नको लागि ट्यूबलाई सञ्चालन गर्नुपर्छ। स्थानान्तरण विशेषता वक्र उत्पादन विशेषता वक्र बाट व्युत्पन्न गर्न सकिन्छ। पत्ता लगाउन ग्राफको रूपमा प्रयोग गरिएको विधिमा। उदाहरण को लागी, Ubs = 6V ठाडो रेखा को लागी चित्र 3 (a) मा, i सँग सम्बन्धित विभिन्न वक्रहरु संग यसको प्रतिच्छेदन, कर्भ संग जोडिएको ib- Uss निर्देशांक मा Us मानहरु, अर्थात्, स्थानान्तरण विशेषता वक्र प्राप्त गर्न को लागी।

को प्यारामिटरहरूMOSFET

त्यहाँ DC मापदण्डहरू, AC प्यारामिटरहरू र सीमा प्यारामिटरहरू सहित MOSFET का धेरै प्यारामिटरहरू छन्, तर सामान्य प्रयोगमा केवल निम्न मुख्य प्यारामिटरहरू चिन्तित हुनु आवश्यक छ: संतृप्त ड्रेन-स्रोत हालको IDSS पिन्च-अफ भोल्टेज माथि, (जंक्शन-प्रकार ट्युबहरू र ह्रास। -प्रकार इन्सुलेटेड-गेट ट्यूबहरू, वा टर्न-अन भोल्टेज UT (प्रबलित इन्सुलेटेड-गेट ट्युबहरू), ट्रान्स-कंडक्टेन्स ग्राम, लिकेज-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज BUDS, अधिकतम डिसिपेटेड पावर PDSM, र अधिकतम ड्रेन-स्रोत वर्तमान IDSM।

(१) संतृप्त नाली प्रवाह

गेट भोल्टेज UGS = ० हुँदा संतृप्त ड्रेन वर्तमान IDSS जंक्शन वा डिप्लेशन प्रकार इन्सुलेटेड गेट MOSFET मा ड्रेन करन्ट हो।

(2) क्लिप-अफ भोल्टेज

पिन्च-अफ भोल्टेज UP भनेको जंक्शन-प्रकार वा डिप्लेशन-प्रकार इन्सुलेटेड-गेट MOSFET मा गेट भोल्टेज हो जुन नाली र स्रोतको बीचमा मात्र काटिन्छ। N- च्यानल ट्यूब UGS को ID curve को 4-25 मा देखाइएको छ, IDSS र UP को महत्व हेर्न बुझ्न सकिन्छ।

MOSFET चार क्षेत्र

(3) टर्न-अन भोल्टेज

टर्न-अन भोल्टेज UT एक प्रबलित इन्सुलेटेड-गेट MOSFET मा गेट भोल्टेज हो जसले अन्तर-नाली-स्रोतलाई मात्र प्रवाहक बनाउँछ।

(4) Transconductance

ट्रान्सकन्डक्टेन्स ग्राम ड्रेन वर्तमान ID मा गेट स्रोत भोल्टेज UGS को नियन्त्रण क्षमता हो, अर्थात्, गेट स्रोत भोल्टेज UGS मा परिवर्तनको लागि ड्रेन वर्तमान ID मा परिवर्तनको अनुपात। 9m को प्रवर्धन क्षमता तौल एक महत्त्वपूर्ण प्यारामिटर होMOSFET.

(5) नाली स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज

ड्रेन स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज BUDS ले गेट स्रोत भोल्टेज UGS निश्चितलाई बुझाउँछ, MOSFET सामान्य अपरेशनले अधिकतम ड्रेन स्रोत भोल्टेज स्वीकार गर्न सक्छ। यो सीमा प्यारामिटर हो, MOSFET अपरेटिङ भोल्टेजमा थपिएको BUDS भन्दा कम हुनुपर्छ।

(6) अधिकतम शक्ति अपव्यय

अधिकतम शक्ति अपव्यय PDSM पनि एक सीमा प्यारामिटर हो, सन्दर्भ गर्दछMOSFETअधिकतम अनुमतियोग्य चुहावट स्रोत शक्ति अपव्यय हुँदा प्रदर्शन बिग्रदैन। MOSFET प्रयोग गर्दा व्यावहारिक ऊर्जा खपत PDSM भन्दा कम हुनुपर्छ र एक निश्चित मार्जिन छोड्नुहोस्।

(७) अधिकतम नाली प्रवाह

अधिकतम चुहावट वर्तमान IDSM अर्को सीमा प्यारामिटर हो, MOSFET को सामान्य सञ्चालनलाई बुझाउँछ, MOSFET को अपरेटिङ करन्ट मार्फत पास गर्न अनुमति दिइएको अधिकतम प्रवाहको चुहावट स्रोत IDSM भन्दा बढी हुनु हुँदैन।

MOSFET सञ्चालन सिद्धान्त

MOSFET (N-channel enhancement MOSFET) को सञ्चालन सिद्धान्त भनेको VGS को प्रयोग गरी "इन्डक्टिव चार्ज" को मात्रा नियन्त्रण गर्न, यी "इन्डक्टिव चार्ज" द्वारा बनेको प्रवाहकीय च्यानलको अवस्था परिवर्तन गर्न र त्यसपछि उद्देश्य प्राप्त गर्नको लागि हो। नाली प्रवाह नियन्त्रण गर्ने। यसको उद्देश्य नालीको प्रवाहलाई नियन्त्रण गर्नु हो। ट्यूबहरूको निर्माणमा, इन्सुलेट तहमा ठूलो संख्यामा सकारात्मक आयनहरू बनाउने प्रक्रिया मार्फत, त्यसैले इन्टरफेसको अर्को छेउमा थप नकारात्मक शुल्कहरू प्रेरित गर्न सकिन्छ, यी नकारात्मक शुल्कहरू प्रेरित गर्न सकिन्छ।

जब गेट भोल्टेज परिवर्तन हुन्छ, च्यानलमा प्रेरित चार्जको मात्रा पनि परिवर्तन हुन्छ, प्रवाहकीय च्यानलको चौडाइ पनि परिवर्तन हुन्छ, र यसरी गेट भोल्टेजको साथ ड्रेन वर्तमान आईडी परिवर्तन हुन्छ।

MOSFET भूमिका

I. MOSFET प्रवर्धनमा लागू गर्न सकिन्छ। MOSFET एम्पलीफायरको उच्च इनपुट प्रतिबाधाको कारण, युग्मन क्यापेसिटर इलेक्ट्रोलाइटिक क्यापेसिटरको प्रयोग बिना, सानो क्षमता हुन सक्छ।

दोस्रो, MOSFET को उच्च इनपुट प्रतिबाधा प्रतिबाधा रूपान्तरणको लागि धेरै उपयुक्त छ। प्रतिबाधा रूपान्तरणको लागि बहु-चरण एम्पलीफायर इनपुट चरणमा सामान्यतया प्रयोग गरिन्छ।

MOSFET एक चर प्रतिरोधक रूपमा प्रयोग गर्न सकिन्छ।

चौथो, MOSFET लाई स्थिर वर्तमान स्रोतको रूपमा सजिलै प्रयोग गर्न सकिन्छ।

पाँचौं, MOSFET लाई इलेक्ट्रोनिक स्विचको रूपमा प्रयोग गर्न सकिन्छ।