MOSFETs (मेटल-अक्साइड-सेमिकन्डक्टर फिल्ड-इफेक्ट ट्रान्जिस्टरहरू) को परिचालन सिद्धान्तहरू बुझ्न यी उच्च-दक्षता इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्टहरू प्रभावकारी रूपमा प्रयोग गर्न महत्त्वपूर्ण छ। MOSFETs इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा अपरिहार्य तत्वहरू हुन्, र तिनीहरूलाई बुझ्न निर्माताहरूको लागि आवश्यक छ।
व्यवहारमा, त्यहाँ निर्माताहरू छन् जसले MOSFETs को विशेष प्रकार्यहरू उनीहरूको आवेदनको समयमा पूर्ण रूपमा प्रशंसा नगर्न सक्छन्। जे होस्, इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा MOSFET को कार्य सिद्धान्तहरू र तिनीहरूको सम्बन्धित भूमिकाहरू बुझेर, कसैले रणनीतिक रूपमा सबैभन्दा उपयुक्त MOSFET चयन गर्न सक्छ, यसको अद्वितीय विशेषताहरू र उत्पादनको विशिष्ट विशेषताहरूलाई ध्यानमा राख्दै। यो विधिले उत्पादनको प्रदर्शनलाई बढाउँछ, बजारमा यसको प्रतिस्पर्धात्मकतालाई बलियो बनाउँछ।
WINSOK SOT-23-3 प्याकेज MOSFET
MOSFET कार्य सिद्धान्तहरू
जब MOSFET को गेट-स्रोत भोल्टेज (VGS) शून्य हुन्छ, ड्रेन-स्रोत भोल्टेज (VDS) को आवेदनको साथमा पनि, त्यहाँ सधैं रिभर्स बायसमा PN जंक्शन हुन्छ, जसको परिणामस्वरूप बीचमा कुनै प्रवाहकीय च्यानल (र कुनै वर्तमान) हुँदैन। MOSFET को नाली र स्रोत। यस अवस्थामा, MOSFET को ड्रेन वर्तमान (ID) शून्य छ। गेट र स्रोत (VGS > 0) बीचको सकारात्मक भोल्टेज लागू गर्नाले MOSFET को गेट र सिलिकन सब्सट्रेटको बीचमा SiO2 इन्सुलेट तहमा विद्युतीय क्षेत्र सिर्जना गर्दछ, गेटबाट P-प्रकार सिलिकन सब्सट्रेट तर्फ निर्देशित हुन्छ। अक्साइड तह इन्सुलेट भइरहेको छ, गेटमा लागू भोल्टेज, VGS, MOSFET मा करेन्ट उत्पन्न गर्न सक्दैन। यसको सट्टा, यसले अक्साइड तहमा क्यापेसिटर बनाउँछ।
VGS बिस्तारै बढ्दै जाँदा, क्यापेसिटर चार्ज हुन्छ, विद्युतीय क्षेत्र सिर्जना गर्दछ। गेटमा सकारात्मक भोल्टेजद्वारा आकर्षित भएर, क्यापेसिटरको अर्को छेउमा असंख्य इलेक्ट्रोनहरू जम्मा हुन्छन्, जसले MOSFET मा नालीबाट स्रोतमा N-प्रकारको प्रवाहकीय च्यानल बनाउँछ। जब VGS ले थ्रेसहोल्ड भोल्टेज VT (सामान्यतया 2V वरिपरि) नाघ्छ, MOSFET को N-च्यानलले ड्रेन वर्तमान ID को प्रवाह सुरु गर्छ। गेट-स्रोत भोल्टेज जसमा च्यानल बन्न थाल्छ त्यसलाई थ्रेसहोल्ड भोल्टेज VT भनिन्छ। VGS को परिमाण नियन्त्रण गरेर, र फलस्वरूप बिजुली क्षेत्र, MOSFET मा ड्रेन वर्तमान ID को आकार परिमार्जन गर्न सकिन्छ।
WINSOK DFN5x6-8 प्याकेज MOSFET
MOSFET अनुप्रयोगहरू
MOSFET यसको उत्कृष्ट स्विचिङ विशेषताहरूका लागि प्रसिद्ध छ, जसले स्विच-मोड पावर सप्लाईजस्ता इलेक्ट्रोनिक स्विचहरू आवश्यक पर्ने सर्किटहरूमा यसको व्यापक प्रयोगको लागि नेतृत्व गर्दछ। 5V पावर सप्लाई प्रयोग गर्ने कम-भोल्टेज अनुप्रयोगहरूमा, परम्परागत संरचनाहरूको प्रयोगले द्विध्रुवी जंक्शन ट्रान्जिस्टर (लगभग 0.7V) को आधार-इमिटरमा भोल्टेज घटाउँछ, गेटमा लागू हुने अन्तिम भोल्टेजको लागि मात्र 4.3V छोड्छ। MOSFET। यस्तो परिदृश्यहरूमा, 4.5V को नाममात्र गेट भोल्टेजको साथ MOSFET को लागि छनौट गर्दा निश्चित जोखिमहरू परिचय हुन्छ। यो चुनौती 3V वा अन्य कम भोल्टेज बिजुली आपूर्तिहरू समावेश अनुप्रयोगहरूमा पनि प्रकट हुन्छ।
पोस्ट समय: अक्टोबर-27-2023
