कसरी सही रूपमा सानो भोल्टेज MOSFETs चयन गर्न

सानो भोल्टेज MOSFET चयन को एक धेरै महत्त्वपूर्ण भाग होMOSFETचयन राम्रो छैन सम्पूर्ण सर्किटको दक्षता र लागतलाई असर गर्न सक्छ, तर इन्जिनियरहरूलाई पनि धेरै समस्या ल्याउनेछ, कि कसरी MOSFET सही रूपमा चयन गर्ने?

 

 

N- च्यानल वा P- च्यानल छनोट गर्ने डिजाइनको लागि सही यन्त्र छनोट गर्ने पहिलो चरण भनेको N- च्यानल वा P- च्यानल MOSFET प्रयोग गर्ने कि नगर्ने भन्ने निर्णय गर्नु एक सामान्य पावर अनुप्रयोगमा, MOSFET ले कम भोल्टेज साइड स्विच गठन गर्दछ जब MOSFET ग्राउन्ड गरिएको छ र लोड ट्रंक भोल्टेजसँग जोडिएको छ। कम भोल्टेज साइड स्विचमा, यन्त्र बन्द वा खोल्न आवश्यक भोल्टेजको विचारको कारणले N-च्यानल MOSFET प्रयोग गर्नुपर्छ।

 

जब MOSFET बसमा जोडिएको छ र लोड ग्राउन्ड गरिएको छ, उच्च भोल्टेज साइड स्विच प्रयोग गरिनु पर्छ। P- च्यानल MOSFET हरू सामान्यतया यस टोपोलोजीमा प्रयोग गरिन्छ, फेरि भोल्टेज ड्राइभ विचारहरूको लागि। हालको मूल्याङ्कन निर्धारण गर्नुहोस्। MOSFET को हालको मूल्याङ्कन चयन गर्नुहोस्। सर्किट संरचनामा निर्भर गर्दै, यो हालको मूल्याङ्कन अधिकतम वर्तमान हुनुपर्छ जुन लोडले सबै परिस्थितिहरूमा सामना गर्न सक्छ।

 

भोल्टेजको मामला जस्तै, डिजाइनरले चयन गरेको सुनिश्चित गर्नुपर्छMOSFETयो हालको मूल्याङ्कनलाई सामना गर्न सक्छ, प्रणालीले स्पाइक प्रवाहहरू उत्पन्न गर्दा पनि। विचार गर्न दुई वर्तमान केसहरू निरन्तर मोड र पल्स स्पाइकहरू हुन्। निरन्तर प्रवाह मोडमा, MOSFET स्थिर अवस्थामा छ, जब करेन्ट लगातार यन्त्र मार्फत जान्छ।

 

पल्स स्पाइकहरू जब यन्त्रबाट ठूला सर्जहरू (वा करेन्टको स्पाइकहरू) बग्छन्। एक पटक यी सर्तहरू अन्तर्गत अधिकतम वर्तमान निर्धारण गरिसकेपछि, यो केवल एक उपकरण चयन गर्ने कुरा हो जुन यो अधिकतम वर्तमानको सामना गर्न सक्छ। थर्मल आवश्यकताहरू निर्धारण गर्दै MOSFET चयन गर्न प्रणालीको थर्मल आवश्यकताहरू पनि गणना गर्न आवश्यक छ। डिजाइनरले दुई फरक परिदृश्यहरू विचार गर्नुपर्छ, सबैभन्दा खराब केस र साँचो केस। यो सबैभन्दा खराब-केस गणना प्रयोग गर्न सिफारिस गरिन्छ किनभने यसले सुरक्षाको ठूलो मार्जिन प्रदान गर्दछ र प्रणाली असफल हुने छैन भनेर सुनिश्चित गर्दछ। MOSFET डाटा पानामा सचेत हुन केही मापनहरू पनि छन्; जस्तै प्याकेज उपकरणको अर्धचालक जंक्शन र वातावरण, र अधिकतम जंक्शन तापमान बीच थर्मल प्रतिरोध। स्विच गर्ने कार्यसम्पादनमा निर्णय गर्दै, MOSFET चयन गर्ने अन्तिम चरण भनेको स्विच गर्ने कार्यसम्पादनमा निर्णय गर्नु हो।MOSFET.

त्यहाँ धेरै प्यारामिटरहरू छन् जसले स्विचिङ प्रदर्शनलाई असर गर्छ, तर सबैभन्दा महत्त्वपूर्ण गेट/ड्रेन, गेट/स्रोत, र ड्रेन/स्रोत क्यापेसिटन्स हो। यी क्यापेसिटन्सहरूले यन्त्रमा स्विचिङ हानिहरू सिर्जना गर्दछ किनभने तिनीहरू प्रत्येक स्विचिङको समयमा चार्ज गर्नुपर्छ। MOSFET को स्विचन गति कम हुन्छ र उपकरणको दक्षता घट्छ। स्विच गर्दा कुल यन्त्र घाटा गणना गर्न, डिजाइनरले टर्न-अन घाटा (Eon) र टर्न-अफ घाटाहरू गणना गर्नुपर्छ।

 

जब vGS को मान सानो हुन्छ, इलेक्ट्रोनहरू अवशोषित गर्ने क्षमता बलियो हुँदैन, चुहावट - स्रोतको बीचमा अझै कुनै प्रवाहकीय च्यानल प्रस्तुत हुँदैन, vGS वृद्धि हुन्छ, वृद्धिमा इलेक्ट्रोनहरूको P सब्सट्रेट बाहिरी सतह तहमा अवशोषित हुन्छ, जब vGS पुग्छ। निश्चित मान, P सब्सट्रेट उपस्थिति नजिकको गेटमा यी इलेक्ट्रोनहरूले N-प्रकारको पातलो तह गठन गर्दछ, र दुईवटा N + क्षेत्र जडान भएको बेला जब vGS निश्चित मानमा पुग्छ, P सब्सट्रेट उपस्थिति नजिकको गेटमा यी इलेक्ट्रोनहरूले एक गठन गर्दछ। N-प्रकारको पातलो तह, र दुई N + क्षेत्रसँग जोडिएको, नालीमा - स्रोतले N-प्रकार प्रवाहकीय च्यानल, यसको प्रवाहकीय प्रकार र P सब्सट्रेटको विपरीत, एन्टि-प्रकार तह गठन गर्दछ। vGS ठूलो छ, विद्युतीय क्षेत्र बलियो हुने अर्धचालक उपस्थितिको भूमिका, P सब्सट्रेटको बाहिरी भागमा इलेक्ट्रोनहरूको अवशोषण, अधिक प्रवाहकीय च्यानल मोटो हुन्छ, च्यानल प्रतिरोध कम हुन्छ। त्यो हो, VGS < VT मा N- च्यानल MOSFET, एक प्रवाहकीय च्यानल गठन गर्न सक्दैन, ट्यूब कटअफ अवस्थामा छ। जबसम्म vGS ≥ VT, मात्र जब च्यानल संरचना। च्यानल गठन भएपछि, ड्रेन - स्रोत बीच अगाडि भोल्टेज vDS थपेर नाली प्रवाह उत्पन्न हुन्छ।

तर Vgs बढ्दै जान्छ, भनौं IRFPS40N60KVgs = 100V जब Vds = 0 र Vds = 400V, दुई अवस्था, ट्यूब प्रकारले कस्तो प्रभाव ल्याउने, जलाएमा, कारण र प्रक्रियाको आन्तरिक मेकानिज्म कसरी Vgs बढाउने हो। Rds (चालू) ले स्विचिङ घाटा कम गर्छ, तर एकै समयमा Qg बढाउनेछ, जसले गर्दा टर्न-अन घाटा ठूलो हुन्छ, MOSFET GS भोल्टेजको दक्षतालाई असर गर्दै Vgg देखि Cgs चार्जिङ र राइज, मर्मतसम्भार भोल्टेज Vth मा आइपुग्छ। , MOSFET सुरु प्रवाहकीय; MOSFET DS हालको बृद्धि, DS क्यापेसिटन्स र डिस्चार्जको कारण अन्तरालमा मिलियर क्यापेसिटन्स, GS क्यापेसिटन्स चार्जिंगले धेरै प्रभाव पार्दैन; Qg = Cgs * Vgs, तर चार्ज बन्न जारी रहनेछ।

MOSFET को DS भोल्टेज Vgs जस्तै भोल्टेजमा झर्छ, मिलियर क्यापेसिटन्स धेरै बढ्छ, बाह्य ड्राइभ भोल्टेजले मिलियर क्यापेसिटन्स चार्ज गर्न रोक्छ, GS क्यापेसिटन्सको भोल्टेज अपरिवर्तित रहन्छ, मिलियर क्यापेसिटन्समा भोल्टेज बढ्छ, जबकि भोल्टेज बढ्छ। DS capacitance मा कमी जारी छ; MOSFET को DS भोल्टेज संतृप्त प्रवाहमा भोल्टेजमा घट्छ, Millier capacitance सानो हुन्छ MOSFET को DS भोल्टेज संतृप्ति प्रवाहमा भोल्टेजमा झर्छ, Millier capacitance सानो हुन्छ र GS capacitance सँग बाह्य ड्राइभद्वारा चार्ज गरिन्छ। भोल्टेज, र GS capacitance मा भोल्टेज बढ्छ; भोल्टेज मापन च्यानलहरू घरेलू 3D01, 4D01, र निसानको 3SK श्रृंखला हुन्।

जी-पोल (गेट) निर्धारण: मल्टिमिटरको डायोड गियर प्रयोग गर्नुहोस्। यदि सकारात्मक र ऋणात्मक भोल्टेज ड्रप बीचको एक खुट्टा र अन्य दुई खुट्टाहरू 2V भन्दा ठूला छन्, अर्थात्, प्रदर्शन "1", यो खुट्टा गेट G हो। र त्यसपछि बाँकी दुई खुट्टा नाप्न पेन साटासाट गर्नुहोस्, भोल्टेज ड्रप त्यो समयमा सानो छ, कालो कलम D-पोल (नाली) मा जोडिएको छ, रातो कलम एस-पोल (स्रोत) मा जोडिएको छ।