MOSFET प्याकेज चयनका लागि दिशानिर्देशहरू

दोस्रो, प्रणाली सीमितता को आकार

केही इलेक्ट्रोनिक प्रणालीहरू पीसीबी र आन्तरिक आकार द्वारा सीमित छन् उचाइ, एसजस्तै सञ्चार प्रणाली, उचाइ सीमितताको कारणले मोड्युलर पावर सप्लाई सामान्यतया DFN5 * 6, DFN3 * 3 प्याकेज प्रयोग गर्नुहोस्; केहि ACDC पावर सप्लाईमा, अति पातलो डिजाइनको प्रयोग वा शेलको सीमितताको कारणले, पावर MOSFET फीटको TO220 प्याकेजको एसेम्बलीले सीधै उचाइ सीमाहरूको जरामा सम्मिलित TO247 प्याकेज प्रयोग गर्न सक्दैन। केही अल्ट्रा-पातलो डिजाइन सीधा यन्त्र पिन फ्ल्याट झुकाउने, यो डिजाइन उत्पादन प्रक्रिया जटिल हुनेछ।

 

तेस्रो, कम्पनीको उत्पादन प्रक्रिया

TO220 सँग दुई प्रकारको प्याकेज छ: बेयर मेटल प्याकेज र पूर्ण प्लास्टिक प्याकेज, बेयर मेटल प्याकेज थर्मल प्रतिरोध सानो छ, तातो अपव्यय क्षमता बलियो छ, तर उत्पादन प्रक्रियामा, तपाईंले इन्सुलेशन ड्रप थप्न आवश्यक छ, उत्पादन प्रक्रिया जटिल र महँगो छ, जब पूर्ण प्लास्टिक प्याकेज थर्मल प्रतिरोध ठूलो छ, गर्मी अपव्यय क्षमता कमजोर छ, तर उत्पादन प्रक्रिया सरल छ।

लक गर्ने स्क्रूको कृत्रिम प्रक्रियालाई कम गर्न, हालका वर्षहरूमा, केही इलेक्ट्रोनिक प्रणालीहरूले पावरमा क्लिपहरू प्रयोग गरेरMOSFETs तातो सिङ्क मा clamped, ताकि encapsulation को नयाँ रूप मा प्वाल हटाउन माथिल्लो भाग को परम्परागत TO220 भाग को उद्भव, तर पनि उपकरण को उचाइ कम गर्न।

 

चौथो, लागत नियन्त्रण

केही अत्यन्त लागत-संवेदनशील अनुप्रयोगहरू जस्तै डेस्कटप मदरबोर्डहरू र बोर्डहरूमा, DPAK प्याकेजहरूमा पावर MOSFET हरू सामान्यतया त्यस्ता प्याकेजहरूको कम लागतको कारण प्रयोग गरिन्छ। त्यसकारण, पावर MOSFET प्याकेज छनौट गर्दा, तिनीहरूको कम्पनीको शैली र उत्पादन सुविधाहरूको साथ संयुक्त, र माथिका कारकहरू विचार गर्नुहोस्।

 

पाँचौं, अधिकतर अवस्थामा प्रतिरोध भोल्टेज BVDSS चयन गर्नुहोस्, किनभने इनपुट vo को डिजाइनइलेक्ट्रोनिक को ltage प्रणाली अपेक्षाकृत निश्चित छ, कम्पनीले केहि सामग्री संख्याको एक विशिष्ट आपूर्तिकर्ता चयन गरेको छ, उत्पादन मूल्याङ्कन भोल्टेज पनि निश्चित छ।

डाटाशीटमा पावर MOSFETs को ब्रेकडाउन भोल्टेज BVDSS ले परीक्षण सर्तहरू परिभाषित गरेको छ, विभिन्न परिस्थितिहरूमा फरक मानहरू सहित, र BVDSS सँग सकारात्मक तापक्रम गुणांक छ, यी कारकहरूको संयोजनको वास्तविक अनुप्रयोगमा व्यापक रूपमा विचार गर्नुपर्छ।

धेरै जानकारी र साहित्य प्रायः उल्लेख गरिएको छ: यदि BVDSS भन्दा ठुलो भएमा उच्च स्पाइक भोल्टेजको MOSFET VDS को शक्ति प्रणाली, स्पाइक पल्स भोल्टेजको अवधि केवल केही वा दस एनएसको भए पनि, शक्ति MOSFET हिमस्खलनमा प्रवेश गर्नेछ। र यसरी क्षति हुन्छ।

ट्रान्जिस्टर र IGBT को विपरीत, पावर MOSFET सँग हिमस्खलनको प्रतिरोध गर्ने क्षमता छ, र धेरै ठूला अर्धचालक कम्पनीहरूले उत्पादन लाइनमा MOSFET हिमस्खलन ऊर्जालाई पूर्ण निरीक्षण, 100% पत्ता लगाउने, त्यो हो, डेटामा यो ग्यारेन्टी मापन, हिमस्खलन भोल्टेज हो। सामान्यतया 1.2 ~ 1.3 पटक BVDSS मा हुन्छ, र समयको अवधि सामान्यतया μs, एमएस स्तर पनि हुन्छ, त्यसपछि केवल केही वा दसौं ns को अवधि, हिमस्खलन भोल्टेज स्पाइक पल्स भोल्टेज भन्दा धेरै कम हुन्छ। शक्ति MOSFET।

 

छ, ड्राइभ भोल्टेज चयन VTH द्वारा

बिभिन्न इलेक्ट्रोनिक प्रणालीहरू पावर MOSFETs चयन गरिएको ड्राइभ भोल्टेज एउटै हुँदैन, AC / DC पावर सप्लाई सामान्यतया 12V ड्राइभ भोल्टेज प्रयोग गर्दछ, नोटबुकको मदरबोर्ड DC / DC कन्भर्टरले 5V ड्राइभ भोल्टेज प्रयोग गर्दछ, त्यसैले प्रणालीको ड्राइभ भोल्टेज अनुसार फरक थ्रेसहोल्ड भोल्टेज चयन गर्न। VTH पावर MOSFETs।

 

डेटासिटमा पावर MOSFETs को थ्रेसहोल्ड भोल्टेज VTH ले पनि परीक्षण सर्तहरू परिभाषित गरेको छ र विभिन्न परिस्थितिहरूमा फरक मानहरू छन्, र VTH सँग नकारात्मक तापक्रम गुणांक छ। विभिन्न ड्राइभ भोल्टेजहरू VGS विभिन्न अन-प्रतिरोधहरूसँग मेल खान्छ, र व्यावहारिक अनुप्रयोगहरूमा तापक्रमलाई ध्यानमा राख्नु महत्त्वपूर्ण छ।

व्यावहारिक अनुप्रयोगहरूमा, शक्ति MOSFET पूर्ण रूपमा सक्रिय छ भनेर सुनिश्चित गर्न तापक्रम भिन्नताहरूलाई ध्यानमा राख्नुपर्छ, जबकि एकै समयमा यो सुनिश्चित गर्दै कि शटडाउन प्रक्रियाको क्रममा जी-पोलमा जोडिएको स्पाइक पल्सहरू गलत ट्रिगरिंगद्वारा ट्रिगर हुनेछैनन्। सीधा-मार्फत वा सर्ट-सर्किट उत्पादन गर्नुहोस्।