गेट क्यापेसिटन्स, अन-रेजिस्टेन्स र MOSFET को अन्य प्यारामिटरहरू

I. गेट क्यापेसिटन्स

गेट क्यापेसिटन्समा मुख्यतया इनपुट क्यापेसिटन्स (Ciss), आउटपुट क्यापेसिटन्स (Coss) र रिभर्स ट्रान्सफर क्यापेसिटन्स (Crss, मिलर क्यापेसिटन्स पनि भनिन्छ) समावेश छ।

इनपुट क्षमता (Ciss):

परिभाषा: इनपुट क्यापेसिटन्स भनेको गेट र स्रोत र ड्रेन बीचको कुल क्यापेसिटन्स हो, र गेट सोर्स क्यापेसिटन्स (Cgs) र गेट ड्रेन क्यापेसिटन्स (Cgd) समानान्तरमा जोडिएको हुन्छ, जस्तै Ciss = Cgs + Cgd।

प्रकार्य: इनपुट क्यापेसिटन्सले MOSFET को स्विचिंग गतिलाई असर गर्छ। जब इनपुट क्यापेसिटन्स थ्रेसहोल्ड भोल्टेजमा चार्ज हुन्छ, उपकरण खोल्न सकिन्छ; एक निश्चित मानमा डिस्चार्ज, उपकरण बन्द गर्न सकिन्छ। त्यसकारण, ड्राइभिङ सर्किट र Ciss ले यन्त्रको टर्न-अन र टर्न-अफ ढिलाइमा प्रत्यक्ष प्रभाव पार्छ।

आउटपुट क्यापेसिटन्स (Coss):

परिभाषा: आउटपुट क्यापेसिटन्स भनेको ड्रेन र स्रोत बीचको कुल क्यापेसिटन्स हो, र ड्रेन-स्रोत क्यापेसिटन्स (Cds) र गेट-ड्रेन क्यापेसिटन्स (Cgd) समानान्तरमा समावेश हुन्छ, अर्थात् Coss = Cds + Cgd।

भूमिका: नरम-स्विचिंग अनुप्रयोगहरूमा, Coss धेरै महत्त्वपूर्ण छ किनभने यसले सर्किटमा अनुनाद निम्त्याउन सक्छ।

रिभर्स ट्रान्समिशन क्यापेसिटन्स (Crss):

परिभाषा: रिभर्स ट्रान्सफर क्यापेसिटन्स गेट ड्रेन क्यापेसिटन्स (Cgd) को बराबर हुन्छ र प्राय: मिलर क्यापेसिटन्स भनिन्छ।

भूमिका: रिभर्स ट्रान्सफर क्यापेसिटन्स स्विचको वृद्धि र पतन समयको लागि महत्त्वपूर्ण प्यारामिटर हो, र यसले टर्न-अफ ढिलाइ समयलाई पनि असर गर्छ। ड्रेन-स्रोत भोल्टेज बढ्दै जाँदा क्यापेसिटन्स मान घट्छ।

II। अन-प्रतिरोध (Rds(on))

परिभाषा: अन-रेजिस्टेन्स भनेको विशेष परिस्थितिहरूमा (उदाहरणका लागि, विशिष्ट चुहावट वर्तमान, गेट भोल्टेज, र तापक्रम) अन्तर्गत अन-स्टेटमा MOSFET को स्रोत र नाली बीचको प्रतिरोध हो।

प्रभावकारी कारकहरू: अन-प्रतिरोध एक निश्चित मान होइन, यो तापक्रमले प्रभावित हुन्छ, तापक्रम जति उच्च हुन्छ, Rds(on) बढ्छ। थप रूपमा, प्रतिरोधी भोल्टेज जति उच्च हुन्छ, MOSFET को आन्तरिक संरचना जति गाढा हुन्छ, सम्बन्धित अन-प्रतिरोध पनि उच्च हुन्छ।

महत्व: स्विचिङ पावर सप्लाई वा ड्राइभर सर्किट डिजाइन गर्दा, MOSFET को अन-प्रतिरोधलाई विचार गर्न आवश्यक छ, किनकि MOSFET मार्फत प्रवाहित वर्तमानले यस प्रतिरोधमा ऊर्जा खपत गर्नेछ, र खपत गरिएको ऊर्जाको यो भागलाई अन-- भनिन्छ। प्रतिरोध हानि। कम अन-प्रतिरोध भएको MOSFET छनोट गर्नाले अन-प्रतिरोध हानि कम गर्न सक्छ।

तेस्रो, अन्य महत्त्वपूर्ण मापदण्डहरू

गेट क्यापेसिटन्स र अन-प्रतिरोधको अतिरिक्त, MOSFET सँग केहि अन्य महत्त्वपूर्ण प्यारामिटरहरू छन् जस्तै:

V(BR)DSS (ड्रेन सोर्स ब्रेकडाउन भोल्टेज):नालीको स्रोत भोल्टेज जसमा नालीबाट प्रवाह हुने विद्युत् एक निश्चित तापक्रममा र गेट स्रोत छोटो भएकोमा निश्चित मानमा पुग्छ। यो मान माथि, ट्यूब क्षतिग्रस्त हुन सक्छ।

VGS(th) (थ्रेसहोल्ड भोल्टेज):गेट भोल्टेज स्रोत र नाली बीच निर्माण सुरु गर्न कन्डक्टिंग च्यानलको कारण आवश्यक छ। मानक N-च्यानल MOSFETs को लागि, VT लगभग 3 देखि 6V छ।

ID (अधिकतम निरन्तर ड्रेन वर्तमान):अधिकतम निरन्तर DC वर्तमान जुन अधिकतम मूल्याङ्कन गरिएको जंक्शन तापमानमा चिपद्वारा अनुमति दिन सकिन्छ।

IDM (अधिकतम पल्स्ड ड्रेन वर्तमान):यन्त्रले ह्यान्डल गर्न सक्ने स्पंदित प्रवाहको स्तरलाई प्रतिबिम्बित गर्दछ, पल्स गरिएको प्रवाह निरन्तर DC वर्तमान भन्दा धेरै उच्च हुन्छ।

PD (अधिकतम शक्ति अपव्यय):उपकरणले अधिकतम शक्ति खपत नष्ट गर्न सक्छ।

संक्षेपमा, MOSFET को गेट क्यापेसिटन्स, अन-रेजिस्टेन्स र अन्य मापदण्डहरू यसको कार्यसम्पादन र अनुप्रयोगको लागि महत्त्वपूर्ण छन्, र विशेष अनुप्रयोग परिदृश्य र आवश्यकताहरू अनुसार चयन र डिजाइन गर्न आवश्यक छ।