संवर्द्धन र कमी MOSFETs को विश्लेषण

D-FET 0 गेट पूर्वाग्रहमा छ जब च्यानलको अस्तित्व, FET सञ्चालन गर्न सक्छ; E-FET 0 गेट पूर्वाग्रहमा छ जब त्यहाँ कुनै च्यानल छैन, FET सञ्चालन गर्न सक्दैन। यी दुई प्रकारका FET का आफ्नै विशेषताहरू र प्रयोगहरू छन्। सामान्यतया, उच्च-गति, कम-शक्ति सर्किटहरूमा परिष्कृत FET धेरै मूल्यवान छ; र यो यन्त्र काम गरिरहेको छ, यो गेट पूर्वाग्रह vo को ध्रुवता होltage र नाली उस्तै भोल्टेज, यो सर्किट डिजाइन मा अधिक सुविधाजनक छ।

तथाकथित परिष्कृत अर्थहरू: जब VGS = 0 ट्यूब एक कट-अफ अवस्था हो, साथै सही VGS, अधिकांश वाहकहरू गेटमा आकर्षित हुन्छन्, यसरी यस क्षेत्रका वाहकहरूलाई "बढाउँदै" एक प्रवाहकीय च्यानल बनाउँदछ। n-च्यानल परिष्कृत MOSFET मूलतया बायाँ-दायाँ सममित टोपोलोजी हो, जुन SiO2 फिल्म इन्सुलेशनको तहको उत्पादनमा P-प्रकार अर्धचालक हो। यसले P-प्रकार अर्धचालकमा SiO2 फिल्मको इन्सुलेट तह उत्पन्न गर्छ, र त्यसपछि दुई उच्च डोप गरिएको N-प्रकार क्षेत्रहरूलाई फैलाउँछ।फोटोलिथोग्राफी, र N-प्रकार क्षेत्रबाट लिड इलेक्ट्रोडहरू, एउटा ड्रेन D को लागि र अर्को स्रोत S को लागि। स्रोत र नाली बीचको इन्सुलेट तहमा गेट G को रूपमा एल्युमिनियम धातुको तह प्लेट गरिएको छ। जब VGS = 0 V , त्यहाँ धेरै डायोडहरू छन् जसमा ड्रेन र स्रोतको बीचमा ब्याक-टु-ब्याक डायोडहरू छन् र D र S बीचको भोल्टेजले D र बीचमा करेन्ट बनाउँदैन। S. D र S को बिचको करेन्ट लागू भोल्टेजले बनाउँदैन।

जब गेट भोल्टेज थपिन्छ, यदि 0 < VGS < VGS(th), गेट र सब्सट्रेटको बीचमा बनाइएको क्यापेसिटिव इलेक्ट्रिक फिल्ड मार्फत, गेटको तल्लो भागमा रहेको P-प्रकार सेमीकन्डक्टरमा पोलीओन प्वालहरू तलतिर फर्काइन्छ, र नकारात्मक आयनहरूको पातलो घट्ने तह देखिन्छ; एकै समयमा, यसले सतह तहमा जानको लागि त्यहाँको ओलिगनहरूलाई आकर्षित गर्नेछ, तर संख्या सीमित छ र प्रवाहकीय च्यानल बनाउन अपर्याप्त छ जसले ड्रेन र स्रोतलाई सञ्चार गर्दछ, त्यसैले यो अझै पनि ड्रेन वर्तमान ID को गठन गर्न अपर्याप्त छ। थप वृद्धि VGS, जब VGS > VGS (th) (VGS (th) लाई टर्न-अन भोल्टेज भनिन्छ), किनभने यस समयमा गेट भोल्टेज तुलनात्मक रूपमा बलियो भएको छ, P-प्रकारको सेमीकन्डक्टर सतह तहमा गेटको तल्लो भागमा अधिक भेला हुन्छ। इलेक्ट्रोनहरू, तपाईं खाई, नाली र सञ्चारको स्रोत बनाउन सक्नुहुन्छ। यदि यस समयमा ड्रेन स्रोत भोल्टेज थपियो भने, ड्रेन वर्तमान आईडी गठन गर्न सकिन्छ। गेट मुनि बनेको प्रवाहकीय च्यानलमा इलेक्ट्रोनहरू, P-प्रकार सेमीकन्डक्टरको ध्रुवताको साथ वाहक प्वालहरू विपरित हुने भएकाले यसलाई एन्टी-टाइप लेयर भनिन्छ। VGS बढ्दै जाँदा, ID बढ्दै जानेछ। ID = 0 मा VGS = 0V, र ड्रेन करेन्ट VGS > VGS(th) पछि मात्र हुन्छ, त्यसैले, यस प्रकारको MOSFET लाई enhancement MOSFET भनिन्छ।

नाली प्रवाहमा VGS को नियन्त्रण सम्बन्ध कर्भ iD = f(VGS(th))|VDS=const द्वारा वर्णन गर्न सकिन्छ, जसलाई स्थानान्तरण विशेषता वक्र भनिन्छ, र स्थानान्तरण विशेषता वक्रको ढलानको परिमाण, gm, गेट स्रोत भोल्टेज द्वारा ड्रेन वर्तमान को नियन्त्रण प्रतिबिम्बित गर्दछ। gm को परिमाण mA/V हो, त्यसैले gm लाई transconductance पनि भनिन्छ।