WSP4888 डुअल एन-च्यानल 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET
सामान्य विवरण
WSP4888 एक उच्च प्रदर्शन गर्ने ट्रान्जिस्टर हो जसको घने सेल संरचना छ, सिंक्रोनस बक कन्भर्टरहरूमा प्रयोगको लागि आदर्श।यसले उत्कृष्ट RDSON र गेट शुल्कहरू समेट्छ, यसलाई यी अनुप्रयोगहरूको लागि शीर्ष विकल्प बनाउँछ।थप रूपमा, WSP4888 दुबै RoHS र हरियो उत्पादन आवश्यकताहरू पूरा गर्दछ र विश्वसनीय प्रकार्यको लागि 100% EAS ग्यारेन्टीको साथ आउँछ।
विशेषताहरु
उन्नत ट्रेन्च टेक्नोलोजीले उच्च सेल घनत्व र सुपर कम गेट चार्ज, CdV/dt प्रभावलाई उल्लेखनीय रूपमा घटाउँछ।हाम्रा यन्त्रहरू १००% EAS ग्यारेन्टी र वातावरणमैत्री विकल्पहरूसँग आउँछन्।
हाम्रा MOSFETs ले उच्च उद्योग मापदण्डहरू पूरा गरेको सुनिश्चित गर्न कडा गुणस्तर नियन्त्रण उपायहरू गुज्रिरहेका छन्।प्रत्येक एकाइको प्रदर्शन, स्थायित्व र विश्वसनीयताको लागि राम्रोसँग परीक्षण गरिएको छ, लामो उत्पादन जीवन सुनिश्चित गर्दै।यसको असभ्य डिजाइनले यसलाई चरम काम गर्ने अवस्थाहरूको सामना गर्न सक्षम बनाउँछ, निर्बाध उपकरण कार्यक्षमता सुनिश्चित गर्दै।
प्रतिस्पर्धी मूल्य निर्धारण: तिनीहरूको उच्च गुणस्तरको बावजुद, हाम्रो MOSFET हरू उच्च प्रतिस्पर्धी मूल्यका छन्, प्रदर्शनमा सम्झौता नगरी महत्त्वपूर्ण लागत बचत प्रदान गर्दै।हामी विश्वास गर्छौं कि सबै उपभोक्ताहरूलाई उच्च गुणस्तरका उत्पादनहरूमा पहुँच हुनुपर्छ, र हाम्रो मूल्य निर्धारण रणनीतिले यो प्रतिबद्धतालाई प्रतिबिम्बित गर्दछ।
व्यापक अनुकूलता: हाम्रा MOSFET हरू विभिन्न प्रकारका इलेक्ट्रोनिक प्रणालीहरूसँग मिल्दोजुल्दो छन्, जसले तिनीहरूलाई निर्माताहरू र अन्त-प्रयोगकर्ताहरूको लागि बहुमुखी विकल्प बनाउँछ।यसले विद्यमान प्रणालीहरूमा निर्बाध रूपमा एकीकृत गर्दछ, प्रमुख डिजाइन परिमार्जनहरूको आवश्यकता बिना समग्र प्रदर्शन बढाउँदै।
अनुप्रयोगहरू
MB/NB/UMPC/VGA प्रणालीहरू, नेटवर्किङ DC-DC पावर प्रणालीहरू, लोड स्विचहरू, ई-सिगरेटहरू, वायरलेस चार्जरहरू, मोटरहरू, ड्रोनहरू, चिकित्सा उपकरणहरू, कार चार्जरहरू, नियन्त्रकहरूमा प्रयोगको लागि उच्च फ्रिक्वेन्सी पोइन्ट-अफ-लोड सिंक्रोनस बक कन्भर्टर। , डिजिटल उत्पादनहरू, साना गृह उपकरणहरू, र उपभोक्ता इलेक्ट्रोनिक्स।
सम्बन्धित सामग्री संख्या
AOS AO4832 AO4838 AO4914, NTMS4916N, ViSHAY Si4128DY, INFINEON BSO150N03MD G, Sinopower SM4803DSK, dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H
महत्त्वपूर्ण प्यारामिटरहरू
| प्रतीक | प्यारामिटर | मूल्याङ्कन | एकाइहरू |
| VDS | ड्रेन-स्रोत भोल्टेज | 30 | V |
| VGS | गेट-स्रोत भोल्टेज | ±२० | V |
| ID@TC=25℃ | निरन्तर ड्रेन वर्तमान, VGS @ 10V1 | ९.८ | A |
| ID@TC=70℃ | निरन्तर ड्रेन वर्तमान, VGS @ 10V1 | ८.० | A |
| IDM | स्पंदित नाली वर्तमान २ | 45 | A |
| EAS | एकल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3 | 25 | mJ |
| IAS | हिमस्खलन वर्तमान | 12 | A |
| PD@TA=25℃ | कुल पावर डिसिपेसन ४ | २.० | W |
| TSTG | भण्डारण तापमान दायरा | -55 देखि 150 सम्म | ℃ |
| TJ | सञ्चालन जंक्शन तापमान दायरा | -55 देखि 150 सम्म | ℃ |
| प्रतीक | प्यारामिटर | सर्तहरू | न्यूनतम | टाइप गर्नुहोस्। | अधिकतम | एकाइ |
| BVDSS | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज | VGS=0V , ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS तापमान गुणांक | 25℃ को सन्दर्भ, ID=1mA | --- | ०.०३४ | --- | V/℃ |
| RDS(चालू) | स्थिर नाली-स्रोत अन-प्रतिरोध २ | VGS=10V , ID=8.5A | --- | १३.५ | 18 | mΩ |
| VGS=4.5V , ID=5A | --- | 18 | 25 | |||
| VGS(th) | गेट थ्रेसहोल्ड भोल्टेज | VGS=VDS , ID = 250uA | १.५ | १.८ | २.५ | V |
| △VGS(th) | VGS(th) तापक्रम गुणांक | --- | -५.८ | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ड्रेन-स्रोत चुहावट वर्तमान | VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | गेट-स्रोत चुहावट वर्तमान | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स | VDS=5V , ID=8A | --- | 9 | --- | S |
| Rg | गेट प्रतिरोध | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | १.८ | २.९ | Ω |
| Qg | कुल गेट चार्ज (4.5V) | VDS=15V , VGS=4.5V , ID=8.8A | --- | 6 | ८.४ | nC |
| Qgs | गेट-स्रोत शुल्क | --- | १.५ | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | २.५ | --- | ||
| Td(चालू) | अन-अन ढिलाइ समय | VDD=15V , VGEN=10V , RG=6Ω ID=1A,RL=15Ω | --- | ७.५ | ९.८ | ns |
| Tr | उठ्ने समय | --- | ९.२ | 19 | ||
| Td(बन्द) | बन्द-बन्द ढिलाइ समय | --- | 19 | 34 | ||
| Tf | पतन समय | --- | ४.२ | 8 | ||
| Ciss | इनपुट क्षमता | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ५९० | ७०१ | pF |
| कोस | आउटपुट क्षमता | --- | 98 | ११२ | ||
| Crss | उल्टो स्थानान्तरण क्षमता | --- | 59 | 91 |
