WSF6012 N&P- च्यानल 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET
सामान्य विवरण
WSF6012 MOSFET एक उच्च सेल घनत्व डिजाइन संग उच्च प्रदर्शन उपकरण हो। यसले उत्कृष्ट RDSON र धेरै सिंक्रोनस बक कन्भर्टर अनुप्रयोगहरूको लागि उपयुक्त गेट चार्ज प्रदान गर्दछ। थप रूपमा, यसले RoHS र हरियो उत्पादन आवश्यकताहरू पूरा गर्दछ, र पूर्ण कार्यक्षमता र विश्वसनीयताको लागि 100% EAS ग्यारेन्टीको साथ आउँछ।
सुविधाहरू
उच्च सेल घनत्व, सुपर कम गेट चार्ज, उत्कृष्ट CdV/dt प्रभाव गिरावट, 100% EAS ग्यारेन्टी, र वातावरण-मैत्री उपकरण विकल्पहरूको साथ उन्नत ट्रेन्च टेक्नोलोजी।
अनुप्रयोगहरू
उच्च फ्रिक्वेन्सी प्वाइन्ट-अफ-लोड सिंक्रोनस बक कन्भर्टर, नेटवर्किङ DC-DC पावर सिस्टम, लोड स्विच, ई-सिगरेट, वायरलेस चार्जिङ, मोटर्स, आपतकालीन पावर सप्लाई, ड्रोन, हेल्थकेयर, कार चार्जर, कन्ट्रोलर, डिजिटल उपकरण, साना घरेलु उपकरणहरू, र उपभोक्ता इलेक्ट्रोनिक्स।
सम्बन्धित सामग्री संख्या
AOS AOD603A,
महत्त्वपूर्ण प्यारामिटरहरू
| प्रतीक | प्यारामिटर | मूल्याङ्कन | एकाइहरू | |
| N- च्यानल | P- च्यानल | |||
| VDS | ड्रेन-स्रोत भोल्टेज | 60 | -६० | V |
| VGS | गेट-स्रोत भोल्टेज | ±२० | ±२० | V |
| ID@TC=25℃ | निरन्तर ड्रेन वर्तमान, VGS @ 10V1 | 20 | -१५ | A |
| ID@TC=70℃ | निरन्तर ड्रेन वर्तमान, VGS @ 10V1 | 15 | -१० | A |
| IDM | स्पंदित नाली वर्तमान २ | 46 | -३६ | A |
| EAS | एकल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा3 | २०० | १८० | mJ |
| IAS | हिमस्खलन वर्तमान | 59 | -५० | A |
| PD@TC=25℃ | कुल पावर डिसिपेसन ४ | ३४.७ | ३४.७ | W |
| TSTG | भण्डारण तापमान दायरा | -55 देखि 150 सम्म | -55 देखि 150 सम्म | ℃ |
| TJ | सञ्चालन जंक्शन तापमान दायरा | -55 देखि 150 सम्म | -55 देखि 150 सम्म | ℃ |
| प्रतीक | प्यारामिटर | सर्तहरू | न्यूनतम | टाइप गर्नुहोस्। | अधिकतम | एकाइ |
| BVDSS | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज | VGS=0V , ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS तापमान गुणांक | 25℃ को सन्दर्भ, ID=1mA | --- | ०.०६३ | --- | V/℃ |
| RDS(चालू) | स्थिर नाली-स्रोत अन-प्रतिरोध २ | VGS=10V , ID=8A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS=4.5V , ID=5A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS(th) | गेट थ्रेसहोल्ड भोल्टेज | VGS=VDS , ID = 250uA | 1 | --- | २.५ | V |
| △VGS(th) | VGS(th) तापक्रम गुणांक | --- | -५.२४ | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ड्रेन-स्रोत चुहावट वर्तमान | VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | गेट-स्रोत चुहावट वर्तमान | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स | VDS=5V , ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | गेट प्रतिरोध | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ३.० | ४.५ | Ω |
| Qg | कुल गेट चार्ज (4.5V) | VDS=48V , VGS=4.5V , ID=8A | --- | १२.६ | 20 | nC |
| Qgs | गेट-स्रोत शुल्क | --- | ३.५ | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | ६.३ | --- | ||
| Td(चालू) | अन-अन ढिलाइ समय | VDD=30V , VGS=4.5V , RG=3.3Ω, ID=1A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | उठ्ने समय | --- | १४.२ | --- | ||
| Td(बन्द) | बन्द-बन्द ढिलाइ समय | --- | २४.६ | --- | ||
| Tf | पतन समय | --- | ४.६ | --- | ||
| Ciss | इनपुट क्षमता | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | ६७० | --- | pF |
| कोस | आउटपुट क्षमता | --- | 70 | --- | ||
| Crss | उल्टो स्थानान्तरण क्षमता | --- | 35 | --- |
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