WSD80120DN56 N- च्यानल 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET उत्पादन सिंहावलोकन
WSD80120DN56 MOSFET को भोल्टेज 85V हो, वर्तमान 120A हो, प्रतिरोध 3.7mΩ हो, च्यानल N-च्यानल हो, र प्याकेज DFN5X6-8 हो।
WINSOK MOSFET आवेदन क्षेत्रहरू
मेडिकल भोल्टेज MOSFET, फोटोग्राफिक उपकरण MOSFET, ड्रोन MOSFET, औद्योगिक नियन्त्रण MOSFET, 5G MOSFET, मोटर वाहन इलेक्ट्रोनिक्स MOSFET।
WINSOK MOSFET अन्य ब्रान्ड सामग्री नम्बरहरूसँग मेल खान्छ
AOS MOSFET AON6276, AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG।
MOSFET प्यारामिटरहरू
प्रतीक | प्यारामिटर | मूल्याङ्कन | एकाइहरू |
VDS | ड्रेन-स्रोत भोल्टेज | 85 | V |
VGS | गेट-साउrसीई भोल्टेज | ±25 | V |
ID@TC= २५℃ | निरन्तर नाली प्रवाह, VGS@ 10V | १२० | A |
ID@TC=100℃ | निरन्तर नाली प्रवाह, VGS@ 10V | 96 | A |
IDM | स्पंदित नाली वर्तमान..TC=25°C | ३८४ | A |
EAS | हिमस्खलन ऊर्जा, एकल पल्स, L=0.5mH | ३२० | mJ |
IAS | हिमस्खलन वर्तमान, एकल पल्स, L=0.5mH | १८० | A |
PD@TC= २५℃ | कुल शक्ति अपव्यय | १०४ | W |
PD@TC=100℃ | कुल शक्ति अपव्यय | 53 | W |
TSTG | भण्डारण तापमान दायरा | -55 देखि 175 सम्म | ℃ |
TJ | सञ्चालन जंक्शन तापमान दायरा | १७५ | ℃ |
प्रतीक | प्यारामिटर | सर्तहरू | न्यूनतम | टाइप गर्नुहोस्। | अधिकतम | एकाइ |
BVDSS | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज | VGS=0V, ID= 250uA | 85 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSSतापमान गुणांक | 25 को सन्दर्भ℃, मD=1mA | --- | ०.०९६ | --- | V/℃ |
RDS(चालू) | स्थिर नाली-स्रोत अन-प्रतिरोध | VGS=10V, ID=50A | --- | ३.७ | ४.८ | mΩ |
VGS(th) | गेट थ्रेसहोल्ड भोल्टेज | VGS=VDS, मD= 250uA | २.० | ३.० | ४.० | V |
△VGS(th) | VGS(th)तापमान गुणांक | --- | -५.५ | --- | mV/℃ | |
IDSS | ड्रेन-स्रोत चुहावट वर्तमान | VDS=85V, VGS=0V, TJ= २५℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=85V, VGS=0V, TJ= ५५℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | गेट-स्रोत चुहावट वर्तमान | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±१०० | nA |
Rg | गेट प्रतिरोध | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | ३.२ | --- | Ω |
Qg | कुल गेट चार्ज (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=10A | --- | 54 | --- | nC |
Qgs | गेट-स्रोत शुल्क | --- | 17 | --- | ||
Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | 11 | --- | ||
Td(चालू) | अन-अन ढिलाइ समय | VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A। | --- | 21 | --- | ns |
Tr | उठ्ने समय | --- | 18 | --- | ||
Td(बन्द) | बन्द-बन्द ढिलाइ समय | --- | 36 | --- | ||
Tf | पतन समय | --- | 10 | --- | ||
Ciss | इनपुट क्षमता | VDS=40V, VGS=0V , f=1MHz | --- | ३७५० | --- | pF |
कोस | आउटपुट क्षमता | --- | ३९५ | --- | ||
Cआरएसएस | उल्टो स्थानान्तरण क्षमता | --- | १८० | --- |