WSD80100DN56 N- च्यानल 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

उत्पादनहरू

WSD80100DN56 N- च्यानल 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

छोटो विवरण:

भाग नम्बर:WSD80100DN56

BVDSS:80V

आईडी:100A

RDSON:6.1mΩ

च्यानल:N- च्यानल

प्याकेज:DFN5X6-8


उत्पादन विवरण

आवेदन

उत्पादन ट्यागहरू

WINSOK MOSFET उत्पादन सिंहावलोकन

WSD80100DN56 MOSFET को भोल्टेज 80V हो, वर्तमान 100A हो, प्रतिरोध 6.1mΩ हो, च्यानल N-च्यानल हो, र प्याकेज DFN5X6-8 हो।

WINSOK MOSFET आवेदन क्षेत्रहरू

ड्रोन MOSFET, मोटर्स MOSFET, मोटर वाहन इलेक्ट्रोनिक्स MOSFET, प्रमुख उपकरण MOSFET।

WINSOK MOSFET अन्य ब्रान्ड सामग्री नम्बरहरूसँग मेल खान्छ

AOS MOSFET AON6276, AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS सेमीकन्डक्टर MOSFET PDC7966X।

MOSFET प्यारामिटरहरू

प्रतीक

प्यारामिटर

मूल्याङ्कन

एकाइहरू

VDS

ड्रेन-स्रोत भोल्टेज

80

V

VGS

गेट-साउrसीई भोल्टेज

±20

V

TJ

अधिकतम जंक्शन तापमान

१५०

°C

ID

भण्डारण तापमान दायरा

-55 देखि 150 सम्म

°C

ID

निरन्तर नाली प्रवाह, VGS=10V, TC=25°C

१००

A

निरन्तर नाली प्रवाह, VGS=10V, TC=100°C

80

A

IDM

स्पंदित नाली वर्तमान, टीC=25°C

३८०

A

PD

अधिकतम शक्ति अपव्यय, टीC=25°C

२००

W

RqJC

थर्मल प्रतिरोध - केस को जंक्शन

०.८

°C

EAS

हिमस्खलन ऊर्जा, एकल पल्स, L=0.5mH

८००

mJ

 

प्रतीक

प्यारामिटर

सर्तहरू

न्यूनतम

टाइप गर्नुहोस्।

अधिकतम

एकाइ

BVDSS

ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज VGS=0V, ID= 250uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSतापमान गुणांक 25 को सन्दर्भ, मD=1mA

---

०.०४३

---

V/

RDS(चालू)

स्थिर नाली-स्रोत अन-प्रतिरोध2 VGS=10V, ID=40A

---

६.१

८.५

mΩ

VGS(th)

गेट थ्रेसहोल्ड भोल्टेज VGS=VDS, मD= 250uA

२.०

३.०

४.०

V

VGS(th)

VGS(th)तापमान गुणांक

---

-६.९४

---

mV/

IDSS

ड्रेन-स्रोत चुहावट वर्तमान VDS= 48V, VGS=0V, TJ= २५

---

---

2

uA

VDS= 48V, VGS=0V, TJ= ५५

---

---

10

IGSS

गेट-स्रोत चुहावट वर्तमान VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±१००

nA

gfs

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स VDS=5V, ID=20A

80

---

---

S

Qg

कुल गेट चार्ज (10V) VDS=30V, VGS=10V, ID=30A

---

१२५

---

nC

Qgs

गेट-स्रोत शुल्क

---

24

---

Qgd

गेट-ड्रेन चार्ज

---

30

---

Td(चालू)

अन-अन ढिलाइ समय VDD=30V, VGS=10V,

RG=2.5Ω, मD=2A ,RL=15Ω।

---

20

---

ns

Tr

उठ्ने समय

---

19

---

Td(बन्द)

बन्द-बन्द ढिलाइ समय

---

70

---

Tf

पतन समय

---

30

---

Ciss

इनपुट क्षमता VDS=25V, VGS=0V , f=1MHz

---

४९००

---

pF

कोस

आउटपुट क्षमता

---

४१०

---

Cआरएसएस

उल्टो स्थानान्तरण क्षमता

---

३१५

---


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