WSD2090DN56 N- च्यानल 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

छोटो विवरण:

मोडेल नम्बर:WSD2090DN56

BVDSS:20V

RDSON:2.8mΩ

ID:80A

च्यानल:N- च्यानल

प्याकेज:DFN5*6-8

उत्पादन सारांश:WSD2090DN56 MOSFET को भोल्टेज 20V हो, वर्तमान 80A हो, प्रतिरोध 2.8mΩ हो, च्यानल N-च्यानल हो, र प्याकेज DFN5*6-8 हो।

आवेदनहरू:इलेक्ट्रोनिक चुरोट, ड्रोन, बिजुली उपकरण, fascia बन्दुक, PD, साना घरेलु उपकरण, आदि।

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उत्पादन विवरण

आवेदन

उत्पादन ट्यागहरू

सामान्य विवरण

WSD2090DN56 चरम उच्च सेल घनत्व भएको उच्चतम प्रदर्शन ट्रेन्च N-Ch MOSFET हो, जसले धेरै जसो सिंक्रोनस बक कन्भर्टर अनुप्रयोगहरूको लागि उत्कृष्ट RDSON र गेट चार्ज प्रदान गर्दछ। WSD2090DN56 RoHS र हरियो उत्पादन आवश्यकताहरू पूरा गर्दछ 100% EAS पूर्ण प्रकार्य विश्वसनीयता स्वीकृत संग ग्यारेन्टी।

सुविधाहरू

उन्नत उच्च सेल घनत्व ट्रेन्च टेक्नोलोजी, सुपर कम गेट चार्ज, उत्कृष्ट CdV / dt प्रभाव गिरावट, 100% EAS ग्यारेन्टी, हरियो उपकरण उपलब्ध

अनुप्रयोगहरू

स्विच, पावर सिस्टम, लोड स्विच, इलेक्ट्रोनिक सिगरेट, ड्रोन, बिजुली उपकरण, fascia बन्दुक, PD, साना घरेलु उपकरण, आदि।

सम्बन्धित सामग्री संख्या

AOS AON6572

महत्त्वपूर्ण प्यारामिटरहरू

निरपेक्ष अधिकतम मूल्याङ्कन (TC=25℃ अन्यथा उल्लेख नगरिएसम्म)

प्रतीक	प्यारामिटर	अधिकतम	एकाइहरू
VDSS	ड्रेन-स्रोत भोल्टेज	20	V
VGSS	गेट-स्रोत भोल्टेज	±12	V
ID@TC=25℃	निरन्तर ड्रेन वर्तमान, VGS @ 10V1	80	A
ID@TC=100℃	निरन्तर ड्रेन वर्तमान, VGS @ 10V1	59	A
IDM	स्पंदित नाली वर्तमान नोट १	३६०	A
EAS	एकल स्पंदित हिमस्खलन ऊर्जा नोट २	११०	mJ
PD	शक्ति अपव्यय	81	W
RθJA	थर्मल प्रतिरोध, केस को जंक्शन	65	℃/W
RθJC	थर्मल प्रतिरोध जंक्शन-केस 1	4	℃/W
TJ, TSTG	सञ्चालन र भण्डारण तापमान दायरा	-५५ देखि +१७५	℃

विद्युतीय विशेषताहरू (TJ=25 ℃, अन्यथा उल्लेख नभएसम्म)

प्रतीक	प्यारामिटर	सर्तहरू	न्यूनतम	टाइप गर्नुहोस्	अधिकतम	एकाइहरू
BVDSS	ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज	VGS=0V, ID=250μA	20	24	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS तापमान गुणांक	25℃ को सन्दर्भ, ID=1mA	---	०१८	---	V/℃
VGS(th)	गेट थ्रेसहोल्ड भोल्टेज	VDS = VGS, ID = 250μA	०.५०	०.६५	१.०	V
RDS(चालू)	स्थिर नाली-स्रोत अन-प्रतिरोध	VGS=4.5V, ID=30A	---	२.८	४.०	mΩ
RDS(चालू)	स्थिर नाली-स्रोत अन-प्रतिरोध	VGS=2.5V, ID=20A	---	४.०	६.०	mΩ
IDSS	शून्य गेट भोल्टेज ड्रेन वर्तमान	VDS=20V, VGS=0V	---	---	1	μA
IGSS	गेट-शरीर चुहावट वर्तमान	VGS=±10V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Ciss	इनपुट क्षमता	VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ	---	३२००	---	pF
कोस	आउटपुट क्षमता		---	४६०	---
Crss	उल्टो स्थानान्तरण क्षमता		---	४४६	---
Qg	कुल गेट चार्ज	VGS=4.5V,VDS=10V,ID=30A	---	११.०५	---	nC
Qgs	गेट-स्रोत शुल्क		---	१.७३	---
Qgd	गेट-ड्रेन चार्ज		---	३.१	---
tD(चालू)	ढिलाइ समय खोल्नुहोस्	VGS=4.5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1.8Ω	---	९.७	---	ns
tr	टर्न-अन राइज समय		---	37	---
tD(बन्द)	बन्द-बन्द ढिलाइ समय		---	63	---
tf	बन्द-अफ पतन समय		---	52	---
VSD	डायोड फर्वार्ड भोल्टेज	IS=7.6A,VGS=0V	---	---	१.२	V