WSD100N15DN56G N- च्यानल 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET उत्पादन सिंहावलोकन
WSD100N15DN56G MOSFET को भोल्टेज 150V हो, वर्तमान 100A हो, प्रतिरोध 6mΩ हो, च्यानल N-च्यानल हो, र प्याकेज DFN5X6-8 हो।
WINSOK MOSFET आवेदन क्षेत्रहरू
चिकित्सा शक्ति आपूर्ति MOSFET, PDs MOSFET, ड्रोन MOSFET, इलेक्ट्रोनिक सिगरेट MOSFET, प्रमुख उपकरण MOSFET, र पावर उपकरण MOSFET।
MOSFET प्यारामिटरहरू
| प्रतीक | प्यारामिटर | मूल्याङ्कन | एकाइहरू |
| VDS | ड्रेन-स्रोत भोल्टेज | १५० | V |
| VGS | गेट-स्रोत भोल्टेज | ±२० | V |
| ID | निरन्तर नाली प्रवाह, VGS@ 10V (TC= 25 ℃) | १०० | A |
| IDM | स्पंदित नाली वर्तमान | ३६० | A |
| EAS | एकल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा | ४०० | mJ |
| PD | कुल पावर डिसिपेसन...C= 25 ℃) | 160 | W |
| RθJA | थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-परिवेश | 62 | ℃/W |
| RθJC | थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-केस | ०.७८ | ℃/W |
| TSTG | भण्डारण तापमान दायरा | -55 देखि 175 सम्म | ℃ |
| TJ | सञ्चालन जंक्शन तापमान दायरा | -55 देखि 175 सम्म | ℃ |
| प्रतीक | प्यारामिटर | सर्तहरू | न्यूनतम | टाइप गर्नुहोस्। | अधिकतम | एकाइ |
| BVDSS | ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज | VGS=0V, ID= 250uA | १५० | --- | --- | V |
| RDS(चालू) | स्थिर नाली-स्रोत अन-प्रतिरोध2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 9 | 12 | mΩ |
| VGS(th) | गेट थ्रेसहोल्ड भोल्टेज | VGS=VDS, मD= 250uA | २.० | ३.० | ४.० | V |
| IDSS | ड्रेन-स्रोत चुहावट वर्तमान | VDS=100V, VGS=0V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | गेट-स्रोत चुहावट वर्तमान | VGS= ±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | कुल गेट चार्ज | VDS=50V, VGS=10V, ID=20A | --- | 66 | --- | nC |
| Qgs | गेट-स्रोत शुल्क | --- | 26 | --- | ||
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | --- | 18 | --- | ||
| Td(चालू) | अन-अन ढिलाइ समय | VDD=50V,VGS=10V RG=2Ω, ID=20A | --- | 37 | --- | ns |
| Tr | उठ्ने समय | --- | 98 | --- | ||
| Td(बन्द) | बन्द-बन्द ढिलाइ समय | --- | 55 | --- | ||
| Tf | पतन समय | --- | 20 | --- | ||
| Ciss | इनपुट क्षमता | VDS=30V, VGS=0V , f=1MHz | --- | ५४५० | --- | pF |
| कोस | आउटपुट क्षमता | --- | १७३० | --- | ||
| Cआरएसएस | उल्टो स्थानान्तरण क्षमता | --- | १९५ | --- |
