किन ह्रास मोड को लागीMOSFETsप्रयोग गरिदैन, यसको तल पुग्न सिफारिस गरिएको छैन।
यी दुई वृद्धि-मोड MOSFET को लागि, NMOS अधिक प्रयोग गरिन्छ। कारण यो हो कि अन-प्रतिरोध सानो र निर्माण गर्न सजिलो छ। तसर्थ, NMOS सामान्यतया विद्युत आपूर्ति र मोटर ड्राइभ अनुप्रयोगहरू स्विच गर्न प्रयोग गरिन्छ। निम्न परिचयमा, NMOS प्रायः प्रयोग गरिन्छ।
MOSFET को तीन पिन बीच एक परजीवी क्षमता छ। यो हामीलाई चाहिने कुरा होइन, तर निर्माण प्रक्रिया सीमितताको कारणले हो। ड्राइभ सर्किट डिजाइन गर्दा वा चयन गर्दा परजीवी क्यापेसिटन्सको अस्तित्वले यसलाई थप समस्याग्रस्त बनाउँछ, तर यसबाट बच्ने कुनै उपाय छैन। हामी यसलाई पछि विस्तारमा परिचय गर्नेछौं।
त्यहाँ नाली र स्रोत बीच एक परजीवी डायोड छ। यसलाई शरीर डायोड भनिन्छ। इन्डक्टिव लोडहरू (जस्तै मोटरहरू) चलाउँदा यो डायोड धेरै महत्त्वपूर्ण हुन्छ। वैसे, शरीर डायोड केवल एक MOSFET मा अवस्थित छ र सामान्यतया एक एकीकृत सर्किट चिप भित्र फेला पर्दैन।
2. MOSFET चालन विशेषताहरू
सञ्चालन भनेको स्विचको रूपमा काम गर्नु हो, जुन स्विच बन्द भएको बराबर हो।
NMOS को विशेषता भनेको Vgs एक निश्चित मान भन्दा ठूलो हुँदा यो सक्रिय हुन्छ। जबसम्म गेट भोल्टेज 4V वा 10V पुग्छ तबसम्म स्रोत ग्राउन्ड (कम-अन्त ड्राइभ) हुँदा यो प्रयोगको लागि उपयुक्त हुन्छ।
PMOS को विशेषताहरू यो हो कि Vgs एक निश्चित मान भन्दा कम हुँदा यो सक्रिय हुन्छ, जुन अवस्थाहरूका लागि उपयुक्त छ जहाँ स्रोत VCC (उच्च-अन्त ड्राइभ) मा जडान भएको छ। यद्यपि, यद्यपिPMOSउच्च-अन्त ड्राइभरको रूपमा सजिलैसँग प्रयोग गर्न सकिन्छ, NMOS सामान्यतया उच्च-अन्त ड्राइभरहरूमा ठूलो अन-प्रतिरोध, उच्च मूल्य, र केही प्रतिस्थापन प्रकारहरूको कारण प्रयोग गरिन्छ।
3. MOS स्विच ट्यूब हानि
यो NMOS होस् वा PMOS, यसलाई अन गरेपछि त्यहाँ एक अन-प्रतिरोध हुन्छ, त्यसैले वर्तमानले यस प्रतिरोधमा ऊर्जा खपत गर्नेछ। खपत भएको ऊर्जाको यो भागलाई कन्डक्शन हानि भनिन्छ। सानो अन-प्रतिरोधको साथ एक MOSFET छनोटले चालन घाटा कम गर्नेछ। आजको कम-शक्ति MOSFET अन-प्रतिरोध सामान्यतया दशौं मिलिहोमको वरिपरि छ, र त्यहाँ धेरै मिलिओमहरू पनि छन्।
जब MOSFET अन र अफ हुन्छ, यो तुरुन्तै पूरा हुनु हुँदैन। MOS मा भोल्टेज घट्ने प्रक्रिया छ, र प्रवाह प्रवाह बढ्दो प्रक्रिया छ। यस अवधिमा, दMOSFET कोघाटा भोल्टेज र करन्टको उत्पादन हो, जसलाई स्विचिङ घाटा भनिन्छ। सामान्यतया स्विचिङ घाटा प्रवाहक हानि भन्दा धेरै ठूलो छ, र छिटो स्विच आवृत्ति, ठूलो घाटा।
प्रवाहको क्षणमा भोल्टेज र वर्तमानको उत्पादन धेरै ठूलो छ, ठूलो घाटा निम्त्याउँछ। स्विचिङ समय छोटो बनाउन प्रत्येक प्रवाह को समयमा घाटा कम गर्न सक्छ; स्विचिङ फ्रिक्वेन्सी घटाउँदा प्रति एकाइ समय स्विचहरूको संख्या घटाउन सक्छ। दुबै विधिहरूले स्विचिङ घाटा कम गर्न सक्छ।
MOSFET सक्रिय हुँदा वेभफॉर्म। यो देख्न सकिन्छ कि वहन को क्षण मा भोल्टेज र वर्तमान को उत्पादन धेरै ठूलो छ, र कारण हानि पनि धेरै ठूलो छ। स्विचिङ समय घटाउँदा प्रत्येक प्रवाहको समयमा घाटा कम गर्न सक्छ; स्विचिङ फ्रिक्वेन्सी घटाउँदा प्रति एकाइ समय स्विचहरूको संख्या घटाउन सक्छ। दुबै विधिहरूले स्विचिङ घाटा कम गर्न सक्छ।
4. MOSFET चालक
द्विध्रुवी ट्रान्जिस्टरहरूको तुलनामा, यो सामान्यतया विश्वास गरिन्छ कि MOSFET खोल्न कुनै करेन्ट आवश्यक पर्दैन, जबसम्म GS भोल्टेज निश्चित मान भन्दा बढी हुन्छ। यो गर्न सजिलो छ, तर हामीलाई गति पनि चाहिन्छ।
यो MOSFET को संरचना मा देख्न सकिन्छ कि GS र GD बीच एक परजीवी क्षमता छ, र MOSFET को ड्राइभिङ वास्तवमा क्यापेसिटर को चार्ज र डिस्चार्ज हो। क्यापेसिटर चार्ज गर्न करेन्ट चाहिन्छ, किनकि क्यापेसिटरलाई चार्ज गर्ने क्षणमा सर्ट सर्किटको रूपमा मान्न सकिन्छ, त्यसैले तात्कालिक वर्तमान अपेक्षाकृत ठूलो हुनेछ। MOSFET ड्राइभर छनोट/डिजाइन गर्दा ध्यान दिनु पर्ने पहिलो कुरा यो प्रदान गर्न सक्ने तत्काल सर्ट-सर्किट वर्तमानको मात्रा हो। को
ध्यान दिनुपर्ने दोस्रो कुरा यो हो कि NMOS, जुन सामान्यतया उच्च-अन्तको ड्राइभिङको लागि प्रयोग गरिन्छ, खोल्दा गेट भोल्टेज स्रोत भोल्टेज भन्दा बढी हुन आवश्यक छ। जब हाई-साइड चालित MOSFET सक्रिय हुन्छ, स्रोत भोल्टेज ड्रेन भोल्टेज (VCC) जस्तै हुन्छ, त्यसैले गेट भोल्टेज यस समयमा VCC भन्दा 4V वा 10V बढी हुन्छ। यदि तपाइँ एउटै प्रणालीमा VCC भन्दा ठूलो भोल्टेज प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, तपाइँलाई विशेष बूस्ट सर्किट चाहिन्छ। धेरै मोटर चालकहरूले चार्ज पम्पहरू एकीकृत गरेका छन्। यो ध्यान दिनुपर्छ कि MOSFET चलाउनको लागि पर्याप्त सर्ट-सर्किट वर्तमान प्राप्त गर्न उपयुक्त बाह्य क्यापेसिटर चयन गरिनु पर्छ।
माथि उल्लेखित 4V वा 10V सामान्यतया प्रयोग हुने MOSFETs को टर्न-अन भोल्टेज हो, र पक्कै पनि डिजाइनको समयमा एक निश्चित मार्जिनलाई अनुमति दिन आवश्यक छ। र भोल्टेज जति उच्च हुन्छ, प्रवाहकत्वको गति त्यति नै छिटो हुन्छ र प्रवाह प्रतिरोध पनि कम हुन्छ। अब त्यहाँ विभिन्न क्षेत्रहरूमा प्रयोग गरिएका साना कन्डक्शन भोल्टेजहरू भएका MOSFET हरू छन्, तर 12V अटोमोटिभ इलेक्ट्रोनिक प्रणालीहरूमा, सामान्यतया 4V प्रवाह पर्याप्त हुन्छ।
MOSFET ड्राइभर सर्किट र यसका घाटाहरूका लागि, कृपया माइक्रोचिपको AN799 MOSFET ड्राइभरहरू MOSFET सँग मिल्दोजुल्दो हेर्नुहोस्। यो धेरै विस्तृत छ, त्यसैले म थप लेख्दिन।
प्रवाहको क्षणमा भोल्टेज र वर्तमानको उत्पादन धेरै ठूलो छ, ठूलो घाटा निम्त्याउँछ। स्विचिङ समय घटाउँदा प्रत्येक प्रवाहको समयमा घाटा कम गर्न सक्छ; स्विचिङ फ्रिक्वेन्सी घटाउँदा प्रति एकाइ समय स्विचहरूको संख्या घटाउन सक्छ। दुबै विधिहरूले स्विचिङ घाटा कम गर्न सक्छ।
MOSFET FET को एक प्रकार हो (अर्को JFET हो)। यसलाई एन्हान्समेन्ट मोड वा डिप्लेसन मोड, P- च्यानल वा N- च्यानल, जम्मा ४ प्रकारका बनाउन सकिन्छ। यद्यपि, केवल वृद्धि-मोड N- च्यानल MOSFET वास्तवमा प्रयोग गरिन्छ। र संवर्द्धन-प्रकार P- च्यानल MOSFET, त्यसैले NMOS वा PMOS सामान्यतया यी दुई प्रकारहरूलाई सन्दर्भ गर्दछ।
5. MOSFET अनुप्रयोग सर्किट?
MOSFET को सबैभन्दा महत्त्वपूर्ण विशेषता यसको राम्रो स्विचिंग विशेषताहरू हो, त्यसैले यो व्यापक रूपमा सर्किटहरूमा प्रयोग गरिन्छ जसमा इलेक्ट्रोनिक स्विचहरू चाहिन्छ, जस्तै स्विचिंग पावर सप्लाई र मोटर ड्राइभहरू, साथै प्रकाश डिमिङ।
आजका MOSFET चालकहरूसँग धेरै विशेष आवश्यकताहरू छन्:
1. कम भोल्टेज आवेदन
5V पावर सप्लाई प्रयोग गर्दा, यदि यस समयमा परम्परागत टोटेम पोल संरचना प्रयोग गरिएको छ भने, ट्रान्जिस्टरमा लगभग 0.7V को भोल्टेज ड्रप भएकोले, गेटमा लागू गरिएको वास्तविक अन्तिम भोल्टेज मात्र 4.3V हो। यस समयमा, हामी नाममात्र गेट पावर छनौट गर्छौं
4.5V MOSFET प्रयोग गर्दा एक निश्चित जोखिम छ। 3V वा अन्य कम भोल्टेज पावर आपूर्तिहरू प्रयोग गर्दा पनि उस्तै समस्या हुन्छ।
2. वाइड भोल्टेज आवेदन
इनपुट भोल्टेज एक निश्चित मान होइन, यो समय वा अन्य कारकहरु संग परिवर्तन हुनेछ। यो परिवर्तनले PWM सर्किटद्वारा MOSFET लाई उपलब्ध गराएको ड्राइभिङ भोल्टेजलाई अस्थिर बनाउँछ।
उच्च गेट भोल्टेजहरू अन्तर्गत MOSFET हरूलाई सुरक्षित बनाउनको लागि, धेरै MOSFETहरूले गेट भोल्टेजको आयामलाई बलपूर्वक सीमित गर्नको लागि निर्मित भोल्टेज नियामकहरू छन्। यस अवस्थामा, जब प्रदान गरिएको ड्राइभिङ भोल्टेज भोल्टेज नियामक ट्यूबको भोल्टेज भन्दा बढी हुन्छ, यसले ठूलो स्थिर शक्ति खपत निम्त्याउँछ।
एकै समयमा, यदि तपाईले गेट भोल्टेज कम गर्न रेसिस्टर भोल्टेज विभाजनको सिद्धान्त प्रयोग गर्नुभयो भने, इनपुट भोल्टेज अपेक्षाकृत उच्च हुँदा MOSFET ले राम्रोसँग काम गर्नेछ, तर जब इनपुट भोल्टेज कम हुन्छ, गेट भोल्टेज अपर्याप्त हुनेछ, कारण। अपूर्ण प्रवाह, जसले गर्दा बिजुली खपत बढ्छ।
3. दोहोरो भोल्टेज आवेदन
केही नियन्त्रण सर्किटहरूमा, तर्क भागले सामान्य 5V वा 3.3V डिजिटल भोल्टेज प्रयोग गर्दछ, जबकि पावर भागले 12V वा त्यसभन्दा माथिको भोल्टेज प्रयोग गर्दछ। दुई भोल्टेजहरू साझा जमीनमा जोडिएका छन्।
यसले सर्किट प्रयोग गर्नको लागि आवश्यकता बढाउँछ ताकि कम-भोल्टेज पक्षले प्रभावकारी रूपमा उच्च-भोल्टेज पक्षमा MOSFET लाई नियन्त्रण गर्न सक्छ। एकै समयमा, उच्च-भोल्टेज साइडमा MOSFET ले पनि 1 र 2 मा उल्लिखित समस्याहरूको सामना गर्नेछ।
यी तीन अवस्थामा, टोटेम पोल संरचनाले आउटपुट आवश्यकताहरू पूरा गर्न सक्दैन, र धेरै अफ-द-शेल्फ MOSFET ड्राइभर आईसीहरूले गेट भोल्टेज सीमित संरचनाहरू समावेश गरेको देखिँदैन।
त्यसैले मैले यी तीन आवश्यकताहरू पूरा गर्न अपेक्षाकृत सामान्य सर्किट डिजाइन गरें।
को
NMOS को लागि चालक सर्किट
यहाँ म NMOS चालक सर्किट को एक साधारण विश्लेषण मात्र गर्नेछु:
Vl र Vh क्रमशः निम्न-अन्त र उच्च-अन्त शक्ति आपूर्तिहरू हुन्। दुई भोल्टेजहरू समान हुन सक्छन्, तर Vl Vh भन्दा बढी हुनु हुँदैन।
Q1 र Q2 ले दुईवटा ड्राइभर ट्यूबहरू Q3 र Q4 एकै समयमा अन नगर्ने सुनिश्चित गर्दै अलगाव प्राप्त गर्न उल्टो टोटेम पोल बनाउँछ।
R2 र R3 ले PWM भोल्टेज सन्दर्भ प्रदान गर्दछ। यो सन्दर्भ परिवर्तन गरेर, सर्किट एक स्थिति मा संचालित गर्न सकिन्छ जहाँ PWM संकेत तरंग अपेक्षाकृत ठाडो छ।
Q3 र Q4 ड्राइभ वर्तमान प्रदान गर्न प्रयोग गरिन्छ। सक्रिय हुँदा, Q3 र Q4 मा Vh र GND को सापेक्ष Vce को न्यूनतम भोल्टेज ड्रप मात्र हुन्छ। यो भोल्टेज ड्रप सामान्यतया ०.३V मात्र हुन्छ, जुन ०.७V को Vce भन्दा धेरै कम हुन्छ।
R5 र R6 प्रतिक्रिया प्रतिरोधकहरू हुन्, गेट भोल्टेज नमूना गर्न प्रयोग गरिन्छ। नमूना भोल्टेजले Q5 मार्फत Q1 र Q2 को आधारहरूमा बलियो नकारात्मक प्रतिक्रिया उत्पन्न गर्दछ, यसरी गेट भोल्टेजलाई सीमित मानमा सीमित गर्दछ। यो मान R5 र R6 मार्फत समायोजन गर्न सकिन्छ।
अन्तमा, R1 ले Q3 र Q4 को लागि आधार हालको सीमा प्रदान गर्दछ, र R4 ले MOSFET को लागि गेट वर्तमान सीमा प्रदान गर्दछ, जुन Q3 र Q4 को बरफको सीमा हो। आवश्यक भएमा, एक एक्सेलेरेशन क्यापेसिटर R4 सँग समानान्तरमा जडान गर्न सकिन्छ।
यो सर्किट निम्न सुविधाहरू प्रदान गर्दछ:
1. उच्च-साइड MOSFET ड्राइभ गर्न कम-साइड भोल्टेज र PWM प्रयोग गर्नुहोस्।
2. उच्च गेट भोल्टेज आवश्यकताहरु संग एक MOSFET ड्राइभ गर्न एक सानो आयाम PWM संकेत प्रयोग गर्नुहोस्।
3. गेट भोल्टेजको शिखर सीमा
4. इनपुट र आउटपुट वर्तमान सीमा
5. उपयुक्त प्रतिरोधकहरू प्रयोग गरेर, धेरै कम पावर खपत हासिल गर्न सकिन्छ।
6. PWM संकेत उल्टो छ। NMOS लाई यो सुविधा आवश्यक पर्दैन र अगाडि इन्भर्टर राखेर समाधान गर्न सकिन्छ।
पोर्टेबल उपकरणहरू र वायरलेस उत्पादनहरू डिजाइन गर्दा, उत्पादन प्रदर्शन सुधार र ब्याट्री जीवन विस्तार डिजाइनरहरूले सामना गर्नुपर्ने दुई मुद्दाहरू हुन्। DC-DC कन्भर्टरहरूमा उच्च दक्षता, ठूलो आउटपुट वर्तमान, र कम शान्त वर्तमानको फाइदाहरू छन्, जसले तिनीहरूलाई पोर्टेबल उपकरणहरू पावर गर्नको लागि धेरै उपयुक्त बनाउँदछ। वर्तमानमा, DC-DC कन्भर्टर डिजाइन टेक्नोलोजीको विकासमा मुख्य प्रवृतिहरू छन्: (1) उच्च-फ्रिक्वेन्सी टेक्नोलोजी: स्विचिंग फ्रिक्वेन्सी बढ्दै जाँदा, स्विचिङ कन्भर्टरको आकार पनि घटाइन्छ, पावर घनत्व पनि धेरै बढेको छ, र गतिशील प्रतिक्रिया सुधारिएको छ। । कम-शक्ति DC-DC कन्भर्टरहरूको स्विचिंग फ्रिक्वेन्सी मेगाहर्ट्ज स्तरमा बढ्नेछ। (२) कम आउटपुट भोल्टेज टेक्नोलोजी: सेमीकन्डक्टर उत्पादन प्रविधिको निरन्तर विकासको साथ, माइक्रोप्रोसेसरहरू र पोर्टेबल इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको अपरेटिङ भोल्टेज कम र कम हुँदै गइरहेको छ, जसले भविष्यका DC-DC कन्भर्टरहरूलाई माइक्रोप्रोसेसरहरूमा अनुकूलन गर्न कम आउटपुट भोल्टेज प्रदान गर्न आवश्यक छ। प्रोसेसर र पोर्टेबल इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको लागि आवश्यकताहरू।
यी प्रविधिहरूको विकासले पावर चिप सर्किटहरूको डिजाइनको लागि उच्च आवश्यकताहरू राखेको छ। सबै भन्दा पहिले, स्विचिंग फ्रिक्वेन्सी बढ्दै जाँदा, स्विच गर्ने तत्वहरूको प्रदर्शनमा उच्च आवश्यकताहरू राखिन्छ। एकै समयमा, स्विच गर्ने तत्वहरूले MHz सम्मको फ्रिक्वेन्सीहरू स्विच गर्दा सामान्य रूपमा काम गर्छ भनी सुनिश्चित गर्न सम्बन्धित स्विचिङ एलिमेन्ट ड्राइभ सर्किटहरू प्रदान गरिनुपर्छ। दोस्रो, ब्याट्री-संचालित पोर्टेबल इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको लागि, सर्किटको काम गर्ने भोल्टेज कम छ (उदाहरणका लागि लिथियम ब्याट्रीहरू लिँदा, काम गर्ने भोल्टेज 2.5 ~ 3.6V हो), त्यसैले, पावर चिपको काम गर्ने भोल्टेज कम छ।
MOSFET मा धेरै कम प्रतिरोध छ र कम ऊर्जा खपत गर्दछ। MOSFET प्रायः वर्तमान लोकप्रिय उच्च दक्षता DC-DC चिपहरूमा पावर स्विचको रूपमा प्रयोग गरिन्छ। जे होस्, MOSFET को ठूलो परजीवी क्षमताको कारण, NMOS स्विचिंग ट्यूबहरूको गेट क्यापेसिटन्स सामान्यतया दसौं पिकोफाराड्स जत्तिकै उच्च हुन्छ। यसले उच्च अपरेटिङ फ्रिक्वेन्सी DC-DC कनवर्टर स्विचिङ ट्यूब ड्राइभ सर्किटको डिजाइनको लागि उच्च आवश्यकताहरू अगाडि राख्छ।
कम भोल्टेज ULSI डिजाइनहरूमा, बुटस्ट्र्याप बूस्ट स्ट्रक्चरहरू र ड्राइभ सर्किटहरू ठूला क्यापेसिटिव लोडहरूको रूपमा प्रयोग गरी विभिन्न प्रकारका CMOS र BiCMOS तर्क सर्किटहरू छन्। यी सर्किटहरू सामान्य रूपमा 1V भन्दा कम पावर सप्लाई भोल्टेजसँग काम गर्न सक्छन्, र 1 देखि 2pF को लोड क्षमताको साथ दस मेगाहर्ट्ज वा सयौं मेगाहर्ट्जको फ्रिक्वेन्सीमा काम गर्न सक्छन्। यस लेखले कम भोल्टेज, उच्च स्विचिङ फ्रिक्वेन्सी बूस्ट DC-DC कन्भर्टरहरूको लागि उपयुक्त ठूलो लोड क्यापेसिटन्स ड्राइभ क्षमताको साथ ड्राइभ सर्किट डिजाइन गर्न बुटस्ट्र्याप बूस्ट सर्किट प्रयोग गर्दछ। यो सर्किट Samsung AHP615 BiCMOS प्रक्रियामा आधारित छ र Hspice सिमुलेशन द्वारा प्रमाणित गरिएको छ। जब आपूर्ति भोल्टेज 1.5V छ र लोड क्षमता 60pF छ, सञ्चालन आवृत्ति 5MHz भन्दा बढी पुग्न सक्छ।
को
MOSFET स्विचन विशेषताहरू
को
1. स्थिर विशेषताहरु
स्विचिङ तत्वको रूपमा, MOSFET ले दुई अवस्थाहरूमा पनि काम गर्दछ: बन्द वा सक्रिय। MOSFET एक भोल्टेज-नियन्त्रित घटक भएकोले, यसको कार्य अवस्था मुख्यतया गेट-स्रोत भोल्टेज uGS द्वारा निर्धारण गरिन्छ।
कार्य विशेषताहरु निम्नानुसार छन्:
※ uGS＜टर्न-अन भोल्टेज UT: MOSFET ले कट-अफ क्षेत्रमा काम गर्छ, ड्रेन-स्रोत हालको iDS मूल रूपमा 0 हो, आउटपुट भोल्टेज uDS≈UDD, र MOSFET "अफ" अवस्थामा छ।
※ uGS>टर्न-अन भोल्टेज UT: MOSFET ले कन्डक्शन क्षेत्रमा काम गर्छ, ड्रेन-स्रोत हालको iDS=UDD/(RD+rDS)। तिनीहरू मध्ये, rDS ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध हो जब MOSFET सक्रिय हुन्छ। आउटपुट भोल्टेज UDS=UDD?rDS/(RD+rDS), यदि rDS＜＜RD, uDS≈0V, MOSFET "चालू" अवस्थामा छ।
2. गतिशील विशेषताहरू
MOSFET सँग ट्रान्जिसन प्रक्रिया पनि हुन्छ जब सक्रिय र बन्द अवस्थाहरू बीच स्विच हुन्छ, तर यसको गतिशील विशेषताहरू मुख्यतया सर्किटसँग सम्बन्धित स्ट्रे क्यापेसिटन्स चार्ज गर्न र डिस्चार्ज गर्न आवश्यक समय र ट्यूब आफैं अन र अफ हुँदा चार्ज संचय र डिस्चार्जमा निर्भर गर्दछ। अपव्यय समय धेरै सानो छ।
जब इनपुट भोल्टेज ui उच्च देखि निम्नमा परिवर्तन हुन्छ र MOSFET अन स्टेटबाट अफ स्टेटमा परिवर्तन हुन्छ, पावर सप्लाई UDD ले RD मार्फत स्ट्रे क्यापेसिटन्स CL चार्ज गर्दछ, र चार्जिंग समय स्थिर τ1=RDCL। तसर्थ, आउटपुट भोल्टेज uo लाई निम्न स्तरबाट उच्च स्तरमा परिवर्तन गर्नु अघि निश्चित ढिलाइको माध्यमबाट जान आवश्यक छ; जब इनपुट भोल्टेज ui कमबाट उच्चमा परिवर्तन हुन्छ र MOSFET अफ स्टेटबाट अन स्टेटमा परिवर्तन हुन्छ, स्ट्रे क्यापेसिटन्स CL मा चार्ज rDS डिस्चार्ज मार्फत हुन्छ डिस्चार्ज समय स्थिर τ2≈rDSCL सँग। यो देख्न सकिन्छ कि आउटपुट भोल्टेज Uo लाई कम स्तरमा ट्रान्जिसन गर्नु अघि निश्चित ढिलाइ चाहिन्छ। तर आरडीएस आरडी भन्दा धेरै सानो भएकोले, कट-अफबाट कन्डक्शनमा रूपान्तरण समय कन्डक्शनबाट कट-अफमा रूपान्तरण समय भन्दा छोटो छ।
MOSFET को ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध rDS जब यो खोलिएको छ ट्रान्जिस्टरको संतृप्ति प्रतिरोध rCES भन्दा धेरै ठूलो छ, र बाह्य ड्रेन प्रतिरोध RD पनि ट्रान्जिस्टरको कलेक्टर प्रतिरोध RC भन्दा ठूलो छ, चार्ज र डिस्चार्ज समय। MOSFET को लामो छ, MOSFET बनाउँदै स्विच गति ट्रान्जिस्टर भन्दा कम छ। यद्यपि, CMOS सर्किटहरूमा, चार्जिङ सर्किट र डिस्चार्जिङ सर्किट दुवै कम-प्रतिरोधी सर्किट भएकाले, चार्जिङ र डिस्चार्जिङ प्रक्रियाहरू तुलनात्मक रूपमा छिटो हुन्छन्, जसले गर्दा CMOS सर्किटको लागि उच्च स्विचिङ गति हुन्छ।
पोस्ट समय: अप्रिल-15-2024
